[發(fā)明專利]包括去耦電容器的半導體封裝

在審

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• 申請日: 2020-07-27
• 公開（公告）號: CN113540057A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發(fā)明（設計）人: 李在薰;趙亨皓
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/64
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

包括去耦電容器的半導體封裝。一種半導體封裝包括基板和設置在基板上方的半導體芯片。該基板包括：基層，其包括面向半導體芯片的上表面；上接地電極板，其設置在基層的上表面上方并且被配置為將接地電壓傳輸?shù)桨雽w芯片；以及虛設電源圖案，其設置在上接地電極板中并且具有由上接地電極板圍繞并與上接地電極板間隔開的側表面，并且在虛設電源圖案和上接地電極板之間具有絕緣材料。從上接地電極板到半導體芯片的接地電壓傳輸路徑與虛設電源圖案間隔開。

技術領域

本專利文獻涉及半導體封裝，更具體地，涉及一種包括去耦電容器的半導體封裝。

背景技術

近來，對半導體裝置的高速操作和大容量數(shù)據(jù)處理的需求增加。為此，需要增加同時傳輸?shù)桨雽w裝置的信號的數(shù)量或者信號傳輸速度。

然而，存在隨著半導體裝置以更高速操作以及同時傳輸?shù)男盘柕臄?shù)量增加，電源/接地噪聲增加的問題。為了解決該問題，目前廣泛使用通過添加去耦電容器來使電源/接地供應穩(wěn)定的方法。

發(fā)明內容

在實施方式中，一種半導體封裝可包括基板和設置在基板上方的半導體芯片。該基板包括：基層，其包括面向半導體芯片的上表面；上接地電極板，其設置在基層的上表面上方并且被配置為將接地電壓傳輸?shù)桨雽w芯片；以及虛設電源圖案，其設置在上接地電極板中并且具有由上接地電極板圍繞并與上接地電極板間隔開的側表面，并且在虛設電源圖案和上接地電極板之間具有絕緣材料。從上接地電極板到半導體芯片的接地電壓傳輸路徑與虛設電源圖案間隔開。

在另一實施方式中，一種半導體封裝可包括基板和設置在基板上方的半導體芯片。該基板包括：基層，其包括面向半導體芯片的上表面；上電源電極板，其設置在基層的上表面上方并且被配置為將電源電壓傳輸?shù)桨雽w芯片；以及虛設接地圖案，其設置在上電源電極板中并且具有由上電源電極板圍繞并與上電源電極板間隔開的側表面，并且在虛設接地圖案和上電源電極板之間具有絕緣材料。從上電源電極板到半導體芯片的電源電壓傳輸路徑與虛設接地圖案間隔開。

附圖說明

圖1A和圖1B是例示了根據(jù)本公開的實施方式的半導體封裝的基板的上布線層和下布線層的平面圖。

圖1C是例示了根據(jù)本公開的實施方式的半導體封裝的半導體芯片的平面圖。

圖2是參考圖1A和圖1B的線A-A’截取的橫截面圖。

圖3是參考圖1A和圖1B的線B-B’截取的橫截面圖。

圖4是參考圖1A和圖1B的線C-C’截取的橫截面圖。

圖5是參考圖1A和圖1B的線D-D’截取的橫截面圖。

圖6是參考圖1A和圖1B的線E-E’截取的橫截面圖。

圖7是例示了根據(jù)本公開的另一實施方式的虛設電源圖案和接地電極板的形狀的平面圖。

圖8示出例示了采用包括根據(jù)實施方式的半導體封裝的存儲卡的電子系統(tǒng)的框圖。

圖9示出例示了包括根據(jù)實施方式的半導體封裝的另一電子系統(tǒng)的框圖。

具體實施方式

以下，將參照附圖詳細描述本公開的實施方式的各種示例。