[發(fā)明專利]使用退化信息計算最優(yōu)讀取電壓的存儲設(shè)備

在審

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• 申請日: 2020-07-27
• 公開（公告）號: CN112349324A
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 柳載德;金真憐
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00;G06F3/06;G11C16/04
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 邵亞麗

1.一種存儲設(shè)備，包括：

第一存儲器設(shè)備，包括多個存儲器塊和被包括在所述多個存儲器塊中的每一個中的多個頁面；

第二存儲器設(shè)備，被配置為存儲第一存儲器設(shè)備的第一退化信息；以及

控制器，被配置為使用第一讀取電壓在第一存儲器設(shè)備上執(zhí)行第一讀取操作以獲取第一退化信息，并且使用第二讀取電壓在第一存儲器設(shè)備上執(zhí)行第二讀取操作，

其中，第二讀取電壓是使用第一存儲器設(shè)備的第二退化信息計算的，第二退化信息使用第一退化信息估計，并且

第一退化信息和第二退化信息中的每一個包括所述多個頁面中的每一個的誤比特數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲設(shè)備，其中，所述控制器被配置為基于被包括在第一退化信息中的誤比特數(shù)的增加率來改變用于計算第二退化信息的誤比特數(shù)的量。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲設(shè)備，其中，所述控制器被配置為基于在所述多個頁面當(dāng)中的目標(biāo)頁面中存在的不可校正糾錯碼(UECC)的出現(xiàn)的可能性來改變用于計算第二退化信息的誤比特數(shù)的量，其中在所述目標(biāo)頁面中執(zhí)行第二讀取操作。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲設(shè)備，其中，第二存儲器設(shè)備包括電阻式存儲器設(shè)備，其中所述電阻式存儲器設(shè)備具有比第一存儲器設(shè)備的數(shù)據(jù)處理單元小的數(shù)據(jù)處理單元。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲設(shè)備，其中，所述控制器被配置為使用查找表來計算第二讀取電壓，其中第二退化信息和讀取電壓校正值之間的映射信息被存儲在所述查找表中。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲設(shè)備，其中，第一退化信息和第二退化信息中的每一個還包括指示所述多個頁面中的每一個的退化程度的退化程度組信息。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲設(shè)備，其中，所述多個頁面中的每一個的退化程度根據(jù)在所述多個頁面中的每一個中生成的誤比特數(shù)被分類為多個級。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲設(shè)備，其中，第二存儲器設(shè)備包括：

第一字線和第二字線，在第一方向上延伸并且在垂直于第一方向的第三方向上彼此隔開；

位線，放置在第一字線和第二字線之間，并且在垂直于第一方向和第三方向的第二方向上延伸；

第一存儲器單元，放置在第一字線和所述位線之間；以及

第二存儲器單元，放置在所述位線和第二字線之間，

其中，第一存儲器單元和第二存儲器單元中的每一個包括：

第一電極、第二電極和第三電極；

存儲元件層，放置在第一電極和第二電極之間，并且被配置為根據(jù)所述存儲元件層的電阻值來存儲不同的數(shù)據(jù)；以及

選擇元件層，放置在第二電極和第三電極之間，并且包括雙向閾值開關(guān)(OTS)材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲設(shè)備，其中，用于執(zhí)行第一讀取操作的時段基于誤比特的增加率、第一存儲器設(shè)備的容量或編程/擦除(P/E)循環(huán)當(dāng)中的至少一條信息而設(shè)置。

10.一種存儲設(shè)備，包括：

第一存儲器設(shè)備，被配置為存儲由主機請求的數(shù)據(jù)；

第二存儲器設(shè)備，被配置為以頁面單位存儲第一存儲器設(shè)備的第一退化信息；以及

控制器，被配置為使用第一讀取電壓在第一存儲器設(shè)備上執(zhí)行第一讀取操作，并且獲取第一退化信息，

其中，第二存儲器設(shè)備基于第一退化信息來估計第一存儲器設(shè)備的第二退化信息，并且基于第二退化信息來計算第二讀取電壓，其中，第二讀取電壓用于根據(jù)所述主機的請求在第一存儲器設(shè)備上執(zhí)行第二讀取操作。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲設(shè)備，其中，第二讀取電壓小于第一讀取電壓。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲設(shè)備，其中，第二存儲器設(shè)備使用查找表來計算第二讀取電壓，其中第二退化信息和讀取電壓校正值之間的映射信息被存儲在所述查找表中。