[發明專利]一種半導體離子注入裝置石墨部件表面處理裝置和工藝

在審

• 申請號: 202010728964.3
• 申請日: 2020-07-27
• 公開（公告）號: CN111871950A
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 周伯成;張正偉
• 申請（專利權）人: 安徽富樂德科技發展股份有限公司
• 主分類號: B08B3/12
• 分類號: B08B3/12;B08B5/02;B08B5/04;B24C1/08;H01J37/317
• 代理公司: 銅陵市天成專利事務所(普通合伙) 34105
• 代理人: 李坤

本發明公開了一種半導體離子注入裝置石墨部件表面處理裝置和工藝，是一種超聲清洗去除部件表面殘膜及石墨碎片的處理方法，配合優化后的噴砂洗凈工藝，具有清洗效果明顯、部件重復使用次數多、無污染等優點，適合在半導體、液晶平板顯示等精密設備的維護保養方面大力發展。

技術領域

本發明涉及一種半導體離子注入裝置石墨部件表面處理裝置和工藝。

背景技術

隨著半導體技術不斷進步，電子元器件向更加精細化發展，要求摻雜工藝更加精細，可控，因此對離子注入機要求也不斷提高。離子注入機臺主要由：離子源，質量分析器，加速器，中性束偏移器，聚焦系統，偏轉掃描系統，工作室七部分組成。其中偏轉掃描系統的側壁主要由石墨部件組成。

離子注入機臺的各組件定期會進行保養和維護。針對石墨部件，現有的表面處理工藝采用噴砂機噴砂去除表面附著的AsO_X膜，然后在人工擦拭的方式去除表面殘留的薄膜及石墨碎片。這種清洗方法費時費力，且無法完全去除石墨表面的殘膜及碎片。且噴砂機去膜對石墨件的損耗較高，隨著表面處理次數的增加，部件會變薄，穿孔，斷裂。

發明內容

本發明的目的在于提供一種半導體離子注入裝置石墨部件表面處理裝置和工藝，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種半導體離子注入裝置石墨部件表面處理裝置和工藝，該裝置包括支架和設置在支架上的定位裝置，定位裝置設置在支架兩側，所述定位裝置包括轉軸和定位銷，所述轉軸一端設置在支架外側，另一端穿過支架側壁與定位銷連接，定位銷與石墨部件連接，所述定位裝置有若干個。

優選的，利用該裝置的處理工藝包括一下步驟：

S1，噴砂處理工藝除去石墨部件表面的AsO_X薄膜

裝置兩端各有一個定位銷，與石墨部件兩端的兩個安裝孔對應；將石墨部件卡在定位銷上，采用重力噴砂的方式去除石墨部件上的AsO_X膜層，噴砂工藝參數為壓力50-80psi,噴砂砂材選用360#白剛玉；

S2，氣槍吹掃及吸塵器除塵

吹掃及除塵可以有效去除表面附著的較多的浮砂，可以提高后續超聲清洗的效率，避免因較長時間超音波處理造成的石墨部件表面損傷；

S3，高頻超音波

高頻超音波清洗可以去除部件附著的殘膜及石墨碎片，能夠有效降低部件表面微粒，粒徑≤0.3μm，超聲波頻率140-170KHz。

優選的，步驟S1中重力噴砂分兩步進行噴砂去膜，第一步用220#-360#AL2O3噴砂去除表面膜層，壓力50-80psi；第二步用220-360#SiO2對去產品表面均勻噴砂處理，形成均勻光滑的表面形貌。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：

1、本發明涉及一種超聲波清洗離子注入設備石墨部件的表面處理方法，用于去除石墨部件噴砂后表面吸附的殘膜及石墨碎片。該處理方法可以保障石墨部件表面的潔凈度，無殘膜及石墨碎片吸附，降低離子注入設備應用過程中因particle較高引起的異常停機風險。同時提高了部件的清洗效率，適用于在精密設備維護領域大規模推廣。

2、采用氣槍吹掃石墨部件表面，并用吸塵器對石墨部件表面進行除塵處理，可以有效的減少石墨表面吸附物的總量，提高石墨部件的超聲波清洗效率。

3、噴砂可以去除部件表面附著AsO_X薄膜，對于石墨部件采用360#白剛玉等噴砂工藝進行處理，可以保障石墨部件去膜后的效果，并同時降低對石墨部件的損耗，提高使用壽命。

附圖說明

圖1為本發明裝置結構示意圖。