[發明專利]一種半導體離子注入裝置石墨部件表面處理裝置和工藝

在審

• 申請號: 202010728964.3
• 申請日: 2020-07-27
• 公開（公告）號: CN111871950A
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 周伯成;張正偉
• 申請（專利權）人: 安徽富樂德科技發展股份有限公司
• 主分類號: B08B3/12
• 分類號: B08B3/12;B08B5/02;B08B5/04;B24C1/08;H01J37/317
• 代理公司: 銅陵市天成專利事務所(普通合伙) 34105
• 代理人: 李坤

1.一種半導體離子注入裝置石墨部件表面處理裝置和工藝，其特征是：該裝置包括支架(1)和設置在支架(1)上的定位裝置，定位裝置設置在支架(1)兩側，所述定位裝置包括轉軸(4)和定位銷(3)，所述轉軸(4)一端設置在支架(1)外側，另一端穿過支架側壁與定位銷(3)連接，定位銷(3)與石墨部件(2)連接，所述定位裝置有若干個。

2.根據權利要求1所述的一種半導體離子注入裝置石墨部件表面處理裝置和工藝，其特征是：利用該裝置的處理工藝包括一下步驟：

S1，噴砂處理工藝除去石墨部件表面的AsO_X薄膜

裝置兩端各有一個定位銷，與石墨部件(2)兩端的兩個安裝孔對應；將石墨部件(2)卡在定位銷(3)上，采用重力噴砂的方式去除石墨部件(2)上的AsO_X膜層，噴砂工藝參數為壓力50-80psi,噴砂砂材選用360#白剛玉；

S2，氣槍吹掃及吸塵器除塵

吹掃及除塵可以有效去除表面附著的較多的浮砂，可以提高后續超聲清洗的效率，避免因較長時間超音波處理造成的石墨部件表面損傷；

S3，高頻超音波

高頻超音波清洗可以去除部件附著的殘膜及石墨碎片，能夠有效降低部件表面微粒，粒徑≤0.3μm，超聲波頻率140-170KHz。

3.根據權利要求2所述的一種半導體離子注入裝置石墨部件表面處理裝置和工藝，其特征是：所述步驟S1中重力噴砂分兩步進行噴砂去膜，第一步用220#-360#AL2O3噴砂去除表面膜層，壓力50-80psi；第二步用220-360#SiO2對去產品表面均勻噴砂處理，形成均勻光滑的表面形貌。