[發(fā)明專利]一種石墨表面硅/碳雙層包覆的負(fù)極材料及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010727837.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-07-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111925232A | 公開(公告)日: | 2020-11-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 岳之浩;周浪;徐國(guó)軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江西昌大高新能源材料技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C04B41/89 | 分類號(hào): | C04B41/89;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/587;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京眾合誠(chéng)成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246 | 代理人: | 許瑩瑩 |
| 地址: | 330096 江西省南昌市南昌高新技術(shù)*** | 國(guó)省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 石墨 表面 雙層 負(fù)極 材料 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明提供了一種石墨表面硅/碳雙層包覆的負(fù)極材料的制備方法,(1)將石墨顆粒置于真空熱處理爐中;(2)到達(dá)設(shè)定溫度后,通入氣態(tài)硅源,使石墨顆粒表面包覆一層硅層;(3)到達(dá)設(shè)定溫度后,通入氣態(tài)碳源,使硅薄膜表面包覆一層碳層。本發(fā)明還公開了一種采用上述方法制備得到的石墨表面硅/碳雙層包覆的負(fù)極材料。本發(fā)明中所述負(fù)極材料的制備方法可使硅材料非常均勻地分布于整個(gè)負(fù)極材料體系中,在充放電過程中不會(huì)產(chǎn)生膨脹不均勻現(xiàn)象。本發(fā)明中所述的負(fù)極材料結(jié)構(gòu)可望同時(shí)具備優(yōu)異的倍率特性、循環(huán)穩(wěn)定性以及高的比容量。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于新能源技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種石墨表面硅/碳雙層包覆的負(fù)極材料及其制備方法。
背景技術(shù)
目前,現(xiàn)有鋰離子電池用石墨負(fù)極材料的理論容量為372mAh/g,其中商業(yè)化石墨負(fù)極產(chǎn)品已達(dá)355mAh/g左右,基本已無提升空間。硅作為鋰離子電池負(fù)極材料的理論容量可達(dá)4200mAh/g左右,且硅在地殼中的含量豐富,僅次于氧,因此成為研究熱點(diǎn)。但是,硅材料巨大的儲(chǔ)鋰膨脹效應(yīng)限制了其充放電性能的發(fā)揮,導(dǎo)致仍無法大規(guī)模應(yīng)用。對(duì)此,行業(yè)中大多數(shù)企業(yè)采取了一種妥協(xié)方案,即采用少量的(一般不超過5%)納米硅顆粒和石墨顆粒復(fù)合后進(jìn)行使用,這種方法在一定程度上緩解了硅材料的儲(chǔ)鋰膨脹效應(yīng),但其循環(huán)壽命仍不是很理想,主要原因是納米硅顆粒在石墨粉體中的分散不是很均勻,從而導(dǎo)致整個(gè)負(fù)極體系膨脹不均勻,致使負(fù)極片上部分區(qū)域碎裂脫落。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的不足與難題,本發(fā)明旨在提供一種石墨表面硅/碳雙層包覆的負(fù)極材料及其制備方法。
本發(fā)明通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn):
一種石墨表面硅/碳雙層包覆的負(fù)極材料的制備方法,包括以下步驟:
步驟(1),將石墨顆粒置于真空熱處理爐中;
步驟(2),到達(dá)設(shè)定溫度后,通入氣態(tài)硅源,使石墨顆粒表面包覆一層硅層;
步驟(3),到達(dá)設(shè)定溫度后,通入氣態(tài)碳源,使硅層表面包覆一層碳層。
進(jìn)一步地,真空熱處理爐優(yōu)選旋轉(zhuǎn)真空管式爐。
進(jìn)一步地,步驟(2)所述設(shè)定溫度優(yōu)選600-1000℃。
進(jìn)一步地,步驟(2)所述氣態(tài)硅源優(yōu)選硅烷。
進(jìn)一步地,步驟(2)所述硅層厚度優(yōu)選100-500nm。
進(jìn)一步地,步驟(3)所述設(shè)定溫度優(yōu)選600-1000℃。
進(jìn)一步地,步驟(3)所述氣態(tài)碳源優(yōu)選乙炔、甲烷。
進(jìn)一步地,步驟(3)所述碳層厚度優(yōu)選5-20nm。
本發(fā)明還提供了一種石墨表面硅/碳雙層包覆的負(fù)極材料,采用如上述方法制備得到。
本發(fā)明通過真空高溫環(huán)境下依次先后充入氣態(tài)硅源、氣態(tài)碳源,使石墨顆粒表面依次形成均勻的硅層薄膜和碳層薄膜,進(jìn)而形成硅/碳雙層包覆石墨顆粒的復(fù)合材料。
本發(fā)明通過采用氣態(tài)硅源熱分解后沉積在石墨顆粒表面形成硅碳復(fù)合負(fù)極材料,比傳統(tǒng)的硅顆粒和石墨顆?;旌细鶆?,且這種硅薄膜包覆石墨顆粒的結(jié)構(gòu)可使硅在石墨體系分散地更均勻;氣態(tài)碳源的作用是在硅薄膜表面包裹碳層,使得硅不直接和電解液接觸,進(jìn)而讓硅表面不形成SEI膜,否則的話硅表面一直會(huì)有新的SEI膜產(chǎn)生,從而會(huì)一直消耗電解液,導(dǎo)致電池容量一直衰減;傳統(tǒng)的碳包覆硅材料采用液相包覆實(shí)現(xiàn),氣態(tài)碳源的包覆采用一層層沉積上去,使得碳層更均勻,而且厚度更可控。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明有益效果包括:
(1)本發(fā)明中所述負(fù)極材料的制備方法可使硅材料非常均勻地分布于整個(gè)負(fù)極材料體系中,在充放電過程中不會(huì)產(chǎn)生膨脹不均勻現(xiàn)象。
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