[發(fā)明專利]一種石墨表面硅/碳雙層包覆的負極材料及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010727837.1 | 申請日： | 2020-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN111925232A | 公開（公告）日： | 2020-11-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 岳之浩;周浪;徐國軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 江西昌大高新能源材料技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | C04B41/89 | 分類號： | C04B41/89;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/587;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京眾合誠成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246 | 代理人： | 許瑩瑩 |
| 地址： | 330096 江西省南昌市南昌高新技術(shù)*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 石墨 表面 雙層 負極 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種石墨表面硅/碳雙層包覆的負極材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟(1)，將石墨顆粒置于真空熱處理爐中；
步驟(2)，到達設(shè)定溫度后，通入氣態(tài)硅源，使石墨顆粒表面包覆一層硅層；
步驟(3)，到達設(shè)定溫度后，通入氣態(tài)碳源，使硅層表面包覆一層碳層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨表面硅/碳雙層包覆的負極材料的制備方法，其特征在于，所述真空熱處理爐為旋轉(zhuǎn)真空管式爐。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨表面硅/碳雙層包覆的負極材料的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)的設(shè)定溫度為600-1000℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨表面硅/碳雙層包覆的負極材料的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中的所述氣態(tài)硅源為硅烷。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨表面硅/碳雙層包覆的負極材料的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)形成的所述硅層厚度為100-500nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨表面硅/碳雙層包覆的負極材料的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中的設(shè)定溫度為600-1000℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨表面硅/碳雙層包覆的負極材料的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中的所述氣態(tài)碳源為乙炔、甲烷。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨表面硅/碳雙層包覆的負極材料的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)形成的所述碳層厚度為5-20nm。
9.一種石墨表面硅/碳雙層包覆的負極材料，其特征在于，采用權(quán)利要求1至8任一項所述的制備方法制備得到。
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