[發明專利]處理基板的方法在審
| 申請號: | 202010727443.6 | 申請日: | 2020-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN112309906A | 公開(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發明(設計)人: | 卡爾·海因茲·普里瓦瑟 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 張洋 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 方法 | ||
本發明涉及處理基板(2)的方法,該基板具有第一側面(4)、和與第一側面(4)相反的第二側面(6)。具體地,本發明涉及一種方法,該方法包括設置具有前表面(12)、和與前表面(12)相反的后表面(14)的保護膜(8);且提供用于保持基板(2)的保持框架(10)。保持框架(10)具有中心開口(16)。該方法還包括:將保持框架(10)附接到保護膜(8)的后表面(14),以便通過保護膜(8)閉合保持框架(10)的中心開口(16);以及將基板(2)的第一側面(4)或基板(2)的第二側面(6)附接到保護膜(8)的前表面(12)。此外,該方法包括:從基板(2)的、與基板(2)的附接至保護膜(8)的前表面(12)的側面相反的側面來處理基板(12),和/或從基板(2)的、附接到保護膜(8)的前表面(12)的側面來處理基板(2)。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2019年8月1日提交德國專利商標局的、申請號為10 2019 211540.3的德國專利申請的優先權和權益,其全部內容通過引用結合在本申請中。
技術領域
本發明涉及一種處理基板的方法,該基板諸如是晶圓、例如半導體晶圓。
背景技術
諸如晶圓的基板的處理需要例如在處理步驟之間和在處理步驟期間對基板進行安全可靠的處理和運輸。例如,在例如為了生產半導體設備的設備制造工藝中,將具有設備區域的基板、例如晶圓分割成單獨芯片或裸片(individual chip or die),該設備區域具有通常由多條分割線劃分的多個設備。這種制造工藝通常包括用于調節基板厚度的磨削步驟以及沿著分割線切割基板以獲得單個芯片或裸片的切割步驟。從基板的、與形成有設備區域的基板前側面相反的后側面執行磨削步驟。而且,也可能在基板的后側面上執行諸如拋光和/或蝕刻的其他處理步驟。基板可以沿分割線從其前側面或其后側面進行切割。
為了基板的處理期間保護基板(特別是形成在基板上的設備)例如免受碎片、磨削水或切割水的破壞、變形和/或污染,在處理之前,可以將保護膜或保護片材施加到基板的前側面。
另外,在處理之前,可以將保護膜或保護片材施加到基板的后側面,以便保護基板例如免受例如在切割基板的步驟期間的碎片的破壞、變形和/或污染。
為了便于例如在上述處理步驟之間和/或處理步驟期間、基板的處理和運輸,可以使用用于保持基板的保持框架。通常,這種保持框架借助于粘合劑在膜的、與基板相同的側面被附接至保護膜。通常,相同的粘合層用于將基板和保持框架附接至保護膜。
在保護膜的相同側上布置基板和保持框架的上述已知方法可能在基板處理期間引起問題。特別地,保持框架可能至少部分地阻擋或阻礙諸如切割、磨削或拋光裝置的處理裝備對基板的接近,從而干擾基板處理。此外,存在由于與保持框架的意外接觸而損壞該裝備的風險。
為了減輕這些問題,保持框架可以向下夾緊,以遠離待處理的基板的表面。然而,這種方法需要使用用于框架的夾緊機構(clamp down mechanism),該夾緊機構很費空間并且使基板處理相當麻煩和復雜。此外,保護膜必須表現出高度的可延展性,以使框架能夠充分地夾持,從而顯著限制了可用保護膜的范圍。
而且,為了在夾持工藝期間允許保持框架相對于基板的所需移動量,在框架的內周與基板的外周之間必須存在足夠大部分的保護膜。因此,必須使用具有大內徑的框架,從而加劇了上述空間消耗問題并限制了可用的保持框架的范圍。
對于具有大厚度的框架、例如塑料框架,上述問題特別明顯。在這種情況下,框架必須夾緊至特別高的程度,以確保它們不會干擾基板的處理。
此外,使用粘合層,以上述常規方式將保持框架附接至保護膜可能引起進一步的問題。特別地,當從保護膜上分離框架時,框架可能被粘合層的粘合力損壞和/或被粘合劑殘留物污染。為了使框架重復使用,可能必須從框架上去除這種粘合劑殘留物,從而進一步使基板處理過程復雜化。
因此,仍然需要一種簡單且有效的處理基板的方法。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





