[發(fā)明專(zhuān)利]處理基板的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010727443.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-07-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112309906A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 卡爾·海因茲·普里瓦瑟 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 株式會(huì)社迪思科 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/67 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京中博世達(dá)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人: | 張洋 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 方法 | ||
1.一種處理基板(2)的方法,所述基板(2)具有第一側(cè)面(4)、和與所述第一側(cè)面(4)相反的第二側(cè)面(6),所述方法包括:
設(shè)置具有前表面(12)、和與所述前表面(12)相反的后表面(14)的保護(hù)膜(8);
設(shè)置用于保持所述基板(2)的保持框架(10),其中,所述保持框架(10)具有中心開(kāi)口(16);
將所述保持框架(10)附接到所述保護(hù)膜(8)的所述后表面(14),以通過(guò)所述保護(hù)膜(8)閉合所述保持框架(10)的所述中心開(kāi)口(16);
將所述基板(2)的所述第一側(cè)面(4)或所述基板(2)的所述第二側(cè)面(6)附接至所述保護(hù)膜(8)的所述前表面(12);和
從所述基板(2)的、與所述基板(2)的附接至所述保護(hù)膜(8)的所述前表面(12)的側(cè)面相反的側(cè)面來(lái)處理所述基板(2),和/或從所述基板(2)的附接到所述保護(hù)膜(8)的所述前表面(12)的側(cè)面來(lái)處理所述基板(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,將所述基板(2)的所述第一側(cè)面(4)或所述基板(2)的所述第二側(cè)面(6)附接至所述保護(hù)膜(8)的所述前表面(12)包括:
將所述保護(hù)膜(8)施加到所述基板(2)的所述第一側(cè)面(4)或所述基板(2)的所述第二側(cè)面(6),使得至少所述保護(hù)膜(8)的所述前表面(12)的中心區(qū)域與所述基板(2)的所述第一側(cè)面(4)或所述基板(2)的所述第二側(cè)面(6)直接接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,將所述基板(2)的所述第一側(cè)面(4)或所述基板(2)的所述第二側(cè)面(6)附接至所述保護(hù)膜(8)的所述前表面(12)還包括:
在將所述保護(hù)膜(8)施加到所述基板(2)的所述第一側(cè)面(4)、或所述基板(2)的所述第二側(cè)面(6)期間和/或之后,將外部刺激施加到所述保護(hù)膜(8),使得所述基板(2)的所述第一側(cè)面(4)或所述基板(2)的所述第二側(cè)面(6)附接到所述保護(hù)膜(8)的所述前表面(12)。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中,將所述保持框架(10)附接到所述保護(hù)膜(8)的所述后表面(14)包括:
將所述保護(hù)膜(8)施加到所述保持框架(10),使得所述保護(hù)膜(8)的所述后表面(14)與所述保持框架(10)直接接觸,以及
在將所述保護(hù)膜(8)施加到所述保持框架(10)期間和/或之后,將外部刺激施加到所述保護(hù)膜(8),使得所述保持框架(10)附接到所述保護(hù)膜(8)的所述后表面(14)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的方法,其中,將所述外部刺激施加到所述保護(hù)膜(8)包括:加熱所述保護(hù)膜(8)、和/或冷卻所述保護(hù)膜(8)、和/或?qū)⒄婵帐┘拥剿霰Wo(hù)膜(8)、和/或用光照射所述保護(hù)膜(8)。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中,
在所述基板(2)的所述第一側(cè)面(4)上形成至少一條分割線(xiàn),和
所述基板(2)的所述第一側(cè)面(4)附接到所述保護(hù)膜(8)的所述前表面(12)。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其還包括:
設(shè)置具有支承表面(20)的支承構(gòu)件(18),和
將附接至所述保護(hù)膜(8)的所述前表面(12)的所述基板(2)放置在所述支承構(gòu)件(18)的所述支承表面(20)上,使得所述保護(hù)膜(8)的所述后表面(14)與所述支承表面(20)接觸。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其還包括:
設(shè)置檢查設(shè)備(22),以及
借助于所述檢查設(shè)備(22)、穿過(guò)所述保護(hù)膜(8),檢查所述基板(2)的附接到所述保護(hù)膜(8)的所述前表面(12)的側(cè)面。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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