[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010725127.5
• 申請(qǐng)日: 2020-07-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113178423A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 筑山慧至;高久悟;菅生悠樹(shù);天野彩那
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/29
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56;H01L25/18
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 張世俊

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置具備：襯底、第1粘接層、第1半導(dǎo)體芯片、及第2粘接層。第1粘接層設(shè)置在襯底的第1面上方，包含分子量不同的多種樹(shù)脂及填料。第1半導(dǎo)體芯片設(shè)置在第1粘接層的上方。第2粘接層設(shè)置在襯底與第1粘接層之間的至少一部分的第1區(qū)域，包含多種樹(shù)脂中分子量小于其它種類(lèi)的樹(shù)脂的至少1種樹(shù)脂、及濃度低于第1粘接層的填料。

相關(guān)申請(qǐng)的引用

本申請(qǐng)是基于2020年01月27日提出申請(qǐng)的先前的日本專(zhuān)利申請(qǐng)第2020-011131號(hào)的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，且謀求該權(quán)益，通過(guò)引用使其全部?jī)?nèi)容包含于本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體裝置的封裝步驟中，已知有使用DAF(Die Attach Film，芯片粘接膜)積層半導(dǎo)體芯片的方法。一般來(lái)說(shuō)，以在布線襯底表面填充DAF的方式設(shè)定工藝的條件。

但是，難以將布線襯底與DAF之間的間隙完全填埋，有時(shí)會(huì)在封裝體內(nèi)產(chǎn)生空腔。該空腔內(nèi)的水分(水蒸氣)例如在安裝回焊及吸濕回焊可靠性試驗(yàn)等中因高溫而膨脹。因此，在空腔較大的情況下，空腔內(nèi)成為高壓，封裝體有可能破損。

發(fā)明內(nèi)容

提供一種能夠抑制熱處理時(shí)的破損的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置具備：襯底、第1粘接層、第1半導(dǎo)體芯片、及第2粘接層。第1粘接層設(shè)置在襯底的第1面上方，包含分子量不同的多種樹(shù)脂及填料。第1半導(dǎo)體芯片設(shè)置在第1粘接層的上方。第2粘接層設(shè)置在襯底與第1粘接層之間的至少一部分的第1區(qū)域，包含多種樹(shù)脂中分子量小于其它種類(lèi)的樹(shù)脂的至少1種樹(shù)脂、及濃度低于第1粘接層的填料。

根據(jù)所述構(gòu)成，可提供一種能夠抑制熱處理時(shí)的破損的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

附圖說(shuō)明

圖1是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖視圖。

圖2是表示第1實(shí)施方式的粘接層的放大圖。

圖3是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的流程圖。

圖4是表示安裝初期的制造中途的半導(dǎo)體裝置的一例的剖視圖。

圖5是表示從安裝中到固化后為止的制造中途的半導(dǎo)體裝置的一例的剖視圖。

圖6是表示第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖視圖。

圖7是表示第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的流程圖。

圖8是表示安裝初期的制造中途的半導(dǎo)體裝置的一例的剖視圖。

圖9是表示從安裝中到固化后為止的制造中途的半導(dǎo)體裝置的一例的剖視圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施方式并不限定本發(fā)明。以下實(shí)施方式中，半導(dǎo)體襯底的上下方向表示將設(shè)置半導(dǎo)體元件的面設(shè)為上時(shí)的相對(duì)方向，有時(shí)與按照重力加速度的上下方向不同。附圖為示意性或概念性，各部分的比率等未必與實(shí)際相同。在說(shuō)明書(shū)及附圖中，對(duì)與上文中關(guān)于已出附圖敘述過(guò)的要素相同的要素標(biāo)注相同符號(hào)，適當(dāng)省略詳細(xì)說(shuō)明。

(第1實(shí)施方式)

圖1是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置1的構(gòu)成的剖視圖。半導(dǎo)體裝置1具備：布線襯底11、作為第1層的粘接層21、半導(dǎo)體芯片CH1、導(dǎo)線W1、作為第2層的粘接層22、樹(shù)脂23、及金屬凸塊B。

此外，在圖1所示的例子中，半導(dǎo)體芯片CH1經(jīng)由粘接層21在縱向上以2段積層。縱向是相對(duì)于布線襯底11的襯底上表面F1大致垂直的方向。但是，半導(dǎo)體芯片CH1的積層數(shù)并不限于2段，可任意變更。