[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202010725127.5
• 申請日: 2020-07-24
• 公開（公告）號: CN113178423A
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 筑山慧至;高久悟;菅生悠樹;天野彩那
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56;H01L25/18
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

1.一種半導體裝置，具備：襯底；

第1層，設置在所述襯底的第1面上方，包含分子量不同的多種樹脂及填料；

第1半導體芯片，設置在所述第1層的上方；以及

第2層，設置在所述襯底與所述第1層之間的至少一部分的第1區域，包含多種所述樹脂中分子量小于其它種類的所述樹脂的至少1種所述樹脂、及濃度低于所述第1層的所述填料。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中

所述第2層設置在所述襯底的凹部與所述第1層之間的第2區域。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其還具備：第2半導體芯片，設置在所述襯底與所述第1層之間；及

導線，將所述襯底與所述第2半導體芯片電連接；且

所述第2層設置在所述導線與該導線下方的所述襯底、所述第1層及所述第2半導體芯片的至少一個之間的第3區域。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中所述第3區域包含由所述導線形成且由所述第2層填充的間隙。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中分子量不同的多種所述樹脂中，分子量的最小值相對于最大值的比率為規定值以下。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中所述規定值為1/10以下。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中所述規定值在1/100～1/1000之間。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第1層包含丙烯酸系橡膠及聚酰亞胺的至少一種、以及環氧樹脂及酚樹脂的至少一種，且

所述第2層包含環氧樹脂及酚樹脂的至少一種。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述填料包含二氧化硅。

10.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中所述第2層的上表面低于所述凹部的上端。

11.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中所述第2層在所述凹部內為凸狀。

12.一種半導體裝置的制造方法，包括：在襯底的第1面設置包含分子量不同的多種樹脂及填料的第1層；

經由所述第1層，以與所述第1面對向的方式將第1半導體芯片的第2面設置在所述第1面上；

通過對所述第1層加壓，而在所述襯底與所述第1層之間的第1間隙內形成第2樹脂層，所述第2樹脂層包含多種所述樹脂中分子量小于其它種類的所述樹脂的至少1種所述樹脂、及濃度低于所述第1層的所述填料。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其包括：貼膜而形成所述第1層。

14.根據權利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其包括：由液體形成所述第1層。

15.根據權利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其包括：于0.1～0.5Mpa以上使所述第2層固化。

16.根據權利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其包括：于0.5Mpa以上使所述第2層固化。

17.根據權利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其包括：由構成所述第1層的一部分物質形成所述第2層。

18.根據權利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其包括：于固化或安裝中形成所述第2層。

19.根據權利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其包括：由膏形成所述第1層。