[發(fā)明專利]LDMOS器件的制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010723952.1
• 申請日: 2020-07-24
• 公開（公告）號: CN111668299A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發(fā)明（設計）人: 劉長振;令海陽;劉憲周
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/66
• 分類號: H01L29/66;H01L29/06
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半導體襯底；

在所述半導體襯底內(nèi)形成第一導電類型的漂移區(qū)；

在所述半導體襯底上形成圖形化的光刻膠層，所述圖形化的光刻膠層暴露出部分所述漂移區(qū)；

以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，對暴露出的所述漂移區(qū)執(zhí)行離子注入工藝，以形成第二導電類型的阱區(qū)。

2.如權利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，形成所述圖形化的光刻膠層的方法包括：

在所述半導體襯底表面旋涂光刻膠，以形成光刻膠層；

對所述光刻膠層進行烘烤、曝光和顯影處理，以形成所述圖形化的光刻膠層。

3.如權利要求2所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，對所述光刻膠層進行曝光處理時，采用的曝光能量值為30mJ/cm²～40mJ/cm²。

4.如權利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，對暴露出的所述漂移區(qū)執(zhí)行離子注入工藝的方法包括：采用多步離子注入工藝對暴露出的所述漂移區(qū)執(zhí)行離子注入工藝以形成第二導電類型的所述阱區(qū)，所述多步離子注入工藝中采用的注入能量和劑量均不同。

5.如權利要求4所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，對暴露出的所述漂移區(qū)執(zhí)行離子注入工藝的方法包括：

執(zhí)行第一次離子注入工藝，采用的注入能量為200Kev～250Kev，注入劑量為10E3/cm²～12E3/cm²；

執(zhí)行第二次離子注入工藝，采用的注入能量為140Kev～200Kev，注入劑量為90E2/cm²～100E2/cm²；

執(zhí)行第三次離子注入工藝，采用的注入能量為60Kev～140Kev，注入劑量為60E2/cm²～90E2/cm²；

執(zhí)行第四次離子注入工藝，采用的注入能量為15Kev～60Kev，注入劑量為40E2/cm²～60E2/cm²。

6.如權利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，在所述半導體襯底內(nèi)形成第一導電類型的漂移區(qū)之前，所述LDMOS器件的制造方法還包括，在所述半導體襯底表面形成一場氧化層。

7.如權利要求6所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，在形成所述阱區(qū)之后，所述LDMOS器件的制造方法還包括：

去除所述圖形化的光刻膠層；以及，

在所述半導體襯底上形成柵極結構，所述柵極結構覆蓋部分所述阱區(qū)和所述漂移區(qū)，并延伸覆蓋部分所述場氧化層。

8.如權利要求7所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述柵極結構包括一柵氧化層和一柵極，所述柵氧化層位于所述場氧化層一側與所述場氧化層連接，并覆蓋部分所述漂移區(qū)和部分所述阱區(qū)，所述柵極覆蓋所述柵氧化層并延伸覆蓋部分所述場氧化層。

9.如權利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述第一導電類型與所述第二導電類型的導電類型相反。

10.如權利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，對暴露出的所述漂移區(qū)執(zhí)行離子注入工藝時，采用的離子為砷離子、磷離子和硼離子中的至少一種。