[發明專利]LDMOS器件的制造方法

在審

• 申請號: 202010723952.1
• 申請日: 2020-07-24
• 公開（公告）號: CN111668299A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 劉長振;令海陽;劉憲周
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/66
• 分類號: H01L29/66;H01L29/06
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

本發明提供一種LDMOS器件的制造方法，通過在半導體襯底內形成第一導電類型的漂移區；然后，在所述半導體襯底上形成圖形化的光刻膠層，所述圖形化的光刻膠層暴露出部分所述漂移區；接著，以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，對暴露出的所述漂移區執行離子注入工藝，以形成第二導電類型的阱區。即所述阱區位于所述漂移區內，在形成所述阱區和所述漂移區的過程中，只需要通過所述圖形化的光刻膠層定義所述阱區的位置，因此，可以減少一次圖形化的光刻膠層的圖形對準，由此，可以減少阱區與漂移區之間的位置偏離，從而可以減少兩者之間的套刻誤差，進而可以提高LDMOS器件的導電溝道長度、閾值電壓和漏電流的穩定性。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，特別涉及一種LDMOS器件的制造方法。

背景技術

由于橫向雙擴散金屬氧化物半導體(lateral double diffusion MOS,LDMOS)器件具備高擊穿電壓，以及能夠與互補金屬氧化物半導體(CMOS)工藝兼容的特性，被廣泛應用于功率器件中。現有的LDMOS器件的制造方法通常包括，在半導體襯底上形成第一圖形化的光刻膠層，所述第一圖形化的光刻膠層暴露出部分所述半導體襯底，然后，執行離子注入，在暴露出的所述半導體襯底內形成阱區，接著，在所述半導體襯底上形成第二圖形化的光刻膠層，所述第二圖形化的光刻膠層暴露出所述阱區外的部分所述半導體襯底，接著，執行離子注入，在暴露出的所述半導體襯底內形成漂移區。但在形成第一圖形化的光刻膠層和第二圖形化的光刻膠層時，其兩者之間的圖形的位置較容易發生偏離，即會出現套刻誤差，因此，會影響LDMOS器件的電學參數穩定性，例如，影響LDMOS器件的導電溝道長度、閾值電壓和漏電流的穩定性等。

發明內容

本發明的目的在于提供一種LDMOS器件的制造方法，以提高LDMOD器件的導電溝道長度、閾值電壓和漏電流的穩定性。

為實現上述目的，本發明提供一種LDMOS器件的制造方法，包括：提供一半導體襯底；

在所述半導體襯底內形成第一導電類型的漂移區；

在所述半導體襯底上形成圖形化的光刻膠層，所述圖形化的光刻膠層暴露出部分所述漂移區；

以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，對暴露出的所述漂移區執行離子注入工藝，以形成第二導電類型的阱區。

可選的，在所述的LDMOS器件的制造方法中，形成所述圖形化的光刻膠層的方法包括：

在所述半導體襯底表面旋涂光刻膠，以形成光刻膠層；

對所述光刻膠層進行烘烤、曝光和顯影處理，以形成所述圖形化的光刻膠層。

可選的，在所述的LDMOS器件的制造方法中，對所述光刻膠層進行曝光處理時，采用的曝光能量值為30mJ/cm²～40mJ/cm²。

可選的，在所述的LDMOS器件的制造方法中，對暴露出的所述漂移區執行離子注入工藝的方法包括，采用多步離子注入工藝對暴露出的所述漂移區執行離子注入工藝以形成第二導電類型的所述阱區，所述多步離子注入工藝中采用的注入能量和劑量均不同。

可選的，在所述的LDMOS器件的制造方法中，對暴露出的所述漂移區執行離子注入工藝的方法包括：

執行第一次離子注入工藝，采用的注入能量為200Kev～250Kev，注入劑量10E3/cm²～12E3/cm²；

執行第二次離子注入工藝，采用的注入能量為140Kev～200Kev，注入劑量為90E2/cm²～100E2/cm²；