[發(fā)明專利]臨時鍵合方法

在審

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• 申請日: 2020-07-24
• 公開（公告）號: CN111834280A
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發(fā)明（設計）人: 陳坦林;郭萬里;劉天建;陳俊宇
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

本發(fā)明提供了一種臨時鍵合方法，包括：提供器件晶圓以及承載片，并通過鍵合膠將所述器件晶圓和所述承載片鍵合形成鍵合片；對所述器件晶圓進行減薄，并暴露出所述鍵合片邊緣的鍵合膠；除去暴露出的鍵合膠。即在器件晶圓進行減薄之后，除去暴露出的鍵合膠，使得鍵合膠的面積不大于器件晶圓鍵合面積，從而減少后續(xù)制程的缺陷來源，同時，除膠步驟放在減薄之后可降低破邊風險。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體技術領域，特別涉及一種臨時鍵合方法。

背景技術

隨著半導體器件向著高集成度、高性能化方向的發(fā)展，三維集成電路(3D IC)應運而生。此工藝中需要對晶圓進行減薄，晶圓減薄到100um甚至更薄之后，在直接進行后續(xù)工藝時很容易發(fā)生變形甚至破裂。而臨時鍵合技術可以很好的解決這一問題，尤其是在多片晶圓堆疊中，將臨時鍵合用于轉(zhuǎn)移超薄晶圓，實現(xiàn)承載片的重復利用，既有利于后續(xù)工藝的進行，同時還能在很大程度上降低成本。

目前最常見的臨時鍵合方法就是使用鍵合膠將器件晶圓和承載晶圓粘合在一起，然后在進行減薄和一系列背面工藝后，再使用一定方法(包括機械法、化學溶劑等)解鍵合。為了給晶圓邊緣提供足夠的承載力以保證其在減薄時不破碎，鍵合膠的涂抹面積會大于器件晶圓的鍵合面，在對臨時鍵合的器件晶圓進行減薄后，邊緣的鍵合膠會直接暴露出來，成為后續(xù)工藝中缺陷的來源，不利于后續(xù)制程的進行，甚至影響后續(xù)制程的機臺或者產(chǎn)品。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種臨時鍵合方法，以減少后續(xù)制程的缺陷來源，同時，除膠步驟放在減薄之后可降低破邊風險。

為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種臨時鍵合方法，包括：

步驟S1：提供器件晶圓以及承載片，并通過鍵合膠將所述器件晶圓和所述承載片鍵合形成鍵合片；

步驟S2：對所述器件晶圓進行減薄，并暴露出所述鍵合片邊緣的鍵合膠；

步驟S3：除去暴露出的鍵合膠。

可選的，在所述的臨時鍵合方法中，在所述的步驟S1中，在通過鍵合膠將所述器件晶圓與所述承載片進行鍵合的步驟之前，還包括對所述器件晶圓進行修邊。

可選的，在所述的臨時鍵合方法中，在所述的步驟S3中，所述除去暴露出的鍵合膠的方法為：采用化學溶劑對所述暴露出的鍵合膠進行洗邊處理。

可選的，在所述的臨時鍵合方法中，所述化學溶劑包括有機溶劑。

可選的，在所述的臨時鍵合方法中，在所述的步驟S3中，在采用化學溶劑對所述暴露出的鍵合膠進行洗邊處理之前，還包括對所述化學溶劑進行加熱處理。

可選的，在所述的臨時鍵合方法中，在所述的步驟S3中，在采用化學溶劑對所述暴露出的鍵合膠進行洗邊處理之后，還包括去離子水清洗。

可選的，在所述的臨時鍵合方法中，在所述的步驟S3中，通過所述鍵合片的旋轉(zhuǎn)速度和化學溶劑的噴涂量來控制除去的鍵合膠的寬度。

可選的，在所述的臨時鍵合方法中，在所述的步驟S3中，采用化學溶劑對所述暴露出的鍵合膠進行洗邊的時間為1min～3min。

可選的，在所述的臨時鍵合方法中，在所述的步驟S3中，所述鍵合片的旋轉(zhuǎn)速度為100r/min～2000r/min。

可選的，在所述的臨時鍵合方法中，所述臨時鍵合方法還包括：

步驟S4：對所述器件晶圓進行后續(xù)的背面制造工藝；

步驟S5：將所述器件晶圓從所述承載片上解鍵合。

在本發(fā)明提供的臨時鍵合方法中，通過在器件晶圓減薄之后，增加除去暴露出的鍵合膠的步驟，使得所述鍵合膠的面積不大于器件晶圓鍵合面積，從而減少后續(xù)制程的缺陷來源以及降低破邊風險。