[發明專利]臨時鍵合方法在審
| 申請號： | 202010723912.7 | 申請日： | 2020-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN111834280A | 公開（公告）日： | 2020-10-27 |
| 發明（設計）人： | 陳坦林;郭萬里;劉天建;陳俊宇 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 臨時 方法 | ||
1.一種臨時鍵合方法，其特征在于，包括：
步驟S1：提供器件晶圓以及承載片，并通過鍵合膠將所述器件晶圓和所述承載片鍵合形成鍵合片；
步驟S2：對所述器件晶圓進行減薄，并暴露出所述鍵合片邊緣的鍵合膠；
步驟S3：除去暴露出的鍵合膠。
2.如權利要求1所述的臨時鍵合方法，其特征在于，在所述的步驟S1中，在通過鍵合膠將所述器件晶圓與所述承載片進行鍵合的步驟之前，還包括對所述器件晶圓進行修邊。
3.如權利要求1所述的臨時鍵合方法，其特征在于，在所述的步驟S3中，所述除去暴露出的鍵合膠的方法為：采用化學溶劑對所述暴露出的鍵合膠進行洗邊處理。
4.如權利要求3所述的臨時鍵合方法，其特征在于，所述化學溶劑包括有機溶劑。
5.如權利要求3所述的臨時鍵合方法，其特征在于，在所述的步驟S3中，在采用化學溶劑對所述暴露出的鍵合膠進行洗邊處理之前，還包括對所述化學溶劑進行加熱處理。
6.如權利要求3所述的臨時鍵合方法，其特征在于，在所述的步驟S3中，在采用化學溶劑對所述暴露出的鍵合膠進行洗邊處理之后，還包括去離子水清洗。
7.如權利要求3所述的臨時鍵合方法，其特征在于，在所述的步驟S3中，通過所述鍵合片的旋轉速度和化學溶劑的噴涂量來控制除去的鍵合膠的寬度。
8.如權利要求3所述的臨時鍵合方法，其特征在于，在所述的步驟S3中，采用化學溶劑對所述暴露出的鍵合膠進行洗邊的時間為0.5min～5min。
9.如權利要求3所述的臨時鍵合方法，其特征在于，在所述的步驟S3中，所述鍵合片的旋轉速度為100r/min～2000r/min。
10.如權利要求1所述的臨時鍵合方法，其特征在于，所述臨時鍵合方法還包括：
步驟S4：對所述器件晶圓進行后續的背面制造工藝；
步驟S5：將所述器件晶圓從所述承載片上解鍵合。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
