[發(fā)明專利]一種引線框架激光的曝光工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010723079.6
• 申請日: 2020-07-24
• 公開（公告）號: CN111640726A
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發(fā)明（設計）人: 黃偉;朱春陽;馬偉凱;劉松源;段升紅;李昌文;徐治;陳迅;秦小波;阮曉玲;劉琪
• 申請（專利權）人: 山東新恒匯電子科技有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L21/67;G03F7/16;G03F7/24
• 代理公司: 淄博佳和專利代理事務所(普通合伙) 37223
• 代理人: 李坤

一種引線框架激光的曝光工藝，屬于壓膜設備技術領域。其特征在于：包括如下步驟：步驟1）通過壓膜裝置在引線框架（9）的兩側壓制干膜（11）；步驟2）輸入輥（3）與收卷輥（5）相配合，使引線框架（9）維持10~20kg的張力，平移裝置帶動引線框架（9）兩側的光學引擎（2）移動，并對引線框架（9）兩側的干膜（11）進行曝光；步驟3）平移裝置帶動光學引擎（2）對引線框架（9）的下一位置進行曝光，直至完成對整卷引線框架（9）的曝光。本引線框架激光的曝光工藝輸入輥與收卷輥相配合使引線框架維持10~20kg的張力，既能夠保證引線框架繃直，又能夠避免對引線框架造成破壞。

技術領域

一種引線框架激光的曝光工藝，屬于壓膜設備技術領域。

背景技術

引線框架是半導體封裝的基礎材料，是集成線路芯片的載體，生產(chǎn)引線框架的主要材料是銅合金，主要通過沖壓的方式生產(chǎn)，沖壓完成后需要對引線框架進行蝕刻，以實現(xiàn)高密度和多腳數(shù)引線框架的生產(chǎn)。

蝕刻工藝的基本原理是利用化學感光材料的光敏特性，在銅帶上形成抗蝕刻掩膜，通過腐蝕溶液蝕刻掉部分金屬，得到所需的產(chǎn)品。掩膜分為干膜和濕膜，干膜在使用時通常是通過壓膜機壓在銅帶上，現(xiàn)有的壓膜機通常是通過相互擠壓的一對壓膜輥將干膜壓在銅帶上，但是由于銅帶與干膜需要在一定的溫度下，并且達到一定的壓制時間才能結合牢固，為了保證干膜與銅帶之間達到指定溫度，干膜與通電之間擠壓一定的時間，需要降低銅帶的輸送速度，如果銅帶的輸送速度過快，就會出現(xiàn)干膜與銅帶之間結合不牢固的問題。現(xiàn)有的壓膜機的工作效率很低，且產(chǎn)品的合格率較低。

發(fā)明內容

本發(fā)明要解決的技術問題是：克服現(xiàn)有技術的不足，提供一種能夠對引線框架張緊，避免對引線框架的曝光造成影響的引線框架的引線框架激光的曝光工藝。

本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是：該引線框架激光的曝光工藝，其特征在于：激光曝光設備包括輸入輥、收卷輥、光學引擎以及平移裝置，輸入輥和收卷輥分別設置在光學引擎的兩側，光學引擎有對稱設置在引線框架兩側的兩組，平移裝置同時與兩組光學引擎相連，在輸入輥與光學引擎之間以及收卷輥與光學引擎之間均設置有張力輥；

曝光工藝包括如下步驟：

步驟1）通過壓膜裝置在引線框架的兩側壓制干膜，并使引線框架纏繞在輸入輥上；

步驟2）輸入輥與收卷輥相配合，使引線框架維持10~20kg的張力；平移裝置帶動引線框架兩側的光學引擎移動，并對引線框架兩側的干膜進行曝光；

步驟3）輸入輥釋放引線框架，同時收卷輥對引線框架收卷，使引線框架維持10~20kg的張力，平移裝置帶動光學引擎對引線框架的下一位置進行曝光，直至完成對整卷引線框架的曝光。

優(yōu)選的，步驟1）中所述的引線框架的寬度為100~350mm。引線框架的寬度適中，能夠保證使引線框架繃緊。

優(yōu)選的，步驟2）中所述的引線框架的兩側的光學引擎的對位偏移值小于等于7um。引線框架兩側的光學引擎的對位偏移值小于等于7um，保證了引線框架的曝光的精度。

優(yōu)選的，所述的輸入輥與光學引擎之間設置有干膜除塵輥，干膜除塵輥外設置有除塵紙卷。干膜除塵輥能夠除去引線框架干膜上的雜物，避免對引線框架的曝光造成妨礙。

優(yōu)選的，步驟1）中所述的壓膜裝置包括壓膜輥、干膜輥以及預熱裝置，預熱裝置和壓膜輥沿引線框架的輸送方向依次設置，壓膜輥沿引線框架的輸送方向并排設置有若干對，且壓膜輥為加熱輥，干膜輥與壓膜輥設置預熱裝置的同一側，干膜輥有設置在引線框架兩側的兩個。壓膜裝置的預熱裝置能夠對引線框架預熱，使引線框架在進入壓膜輥之前溫度升高，壓膜輥為加熱輥，能夠繼續(xù)對引線框架和干膜進行加熱，并使其快速達到指定的溫度，壓膜輥并排設置有若干對，能夠連續(xù)將干膜壓在引線框架上，設置若干對壓膜輥等同于增加了干膜與引線框架的擠壓時間，為引線框架的快速輸送提供了條件，在不影響壓膜質量的條件下提高了引線框架的壓膜速度。