[發明專利]一種引線框架激光的曝光工藝

在審

• 申請號: 202010723079.6
• 申請日: 2020-07-24
• 公開（公告）號: CN111640726A
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 黃偉;朱春陽;馬偉凱;劉松源;段升紅;李昌文;徐治;陳迅;秦小波;阮曉玲;劉琪
• 申請（專利權）人: 山東新恒匯電子科技有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L21/67;G03F7/16;G03F7/24
• 代理公司: 淄博佳和專利代理事務所(普通合伙) 37223
• 代理人: 李坤

1.一種引線框架激光的曝光工藝，其特征在于：包括如下步驟：

步驟1）通過壓膜裝置在引線框架（9）的兩側壓制干膜（11），并使引線框架（9）纏繞在輸入輥（3）上；

步驟2）輸入輥（3）與收卷輥（5）相配合，使引線框架（9）維持10~20kg的張力，平移裝置帶動引線框架（9）兩側的光學引擎（2）移動，并對引線框架（9）兩側的干膜（11）進行曝光；

步驟3）輸入輥（3）釋放引線框架（9），同時收卷輥（5）對引線框架（9）收卷，使引線框架（9）維持10~20kg的張力，平移裝置帶動光學引擎（2）對引線框架（9）的下一位置進行曝光，直至完成對整卷引線框架（9）的曝光。

2.根據權利要求1所述的引線框架激光的曝光工藝，其特征在于：步驟1）中所述的引線框架（9）的寬度為100~350mm。

3.根據權利要求1所述的引線框架激光的曝光工藝，其特征在于：步驟2）中所述的引線框架（9）的兩側的光學引擎（2）的對位偏移值小于等于7um。

4.根據權利要求1所述的引線框架激光的曝光工藝，其特征在于：所述的輸入輥（3）與光學引擎（2）之間設置有干膜除塵輥（10），干膜除塵輥（10）外設置有除塵紙卷。

5.根據權利要求1所述的引線框架激光的曝光工藝，其特征在于：步驟1）中所述的壓膜裝置包括壓膜輥（12）、干膜輥（13）以及預熱裝置，預熱裝置和壓膜輥（12）沿引線框架（9）的輸送方向依次設置，壓膜輥（12）沿引線框架（9）的輸送方向并排設置有若干對，且壓膜輥（12）為加熱輥，干膜輥（13）與壓膜輥（12）設置預熱裝置的同一側，干膜輥（13）有設置在引線框架（9）兩側的兩個。

6.根據權利要求1所述的引線框架激光的曝光工藝，其特征在于：采用清潔裝置對步驟1）中所述的引線框架（9）清理后再壓制干膜（11）。

7.根據權利要求6所述的引線框架激光的曝光工藝，其特征在于：所述的清潔裝置包括引線框架除塵輥（17），引線框架除塵輥（17）有設置在引線框架（9）兩側的兩個，且兩個引線框架除塵輥（17）相配合壓緊引線框架（9），引線框架除塵輥（17）上設置有除塵紙卷。

8.根據權利要求7所述的引線框架激光的曝光工藝，其特征在于：所述的清潔裝置還包括離子風機（16），離子風機（16）的出風口朝向引線框架（9）設置，離子風機（16）設置在引線框架除塵輥（17）遠離預熱裝置的一側。