[發(fā)明專利]具有電連接結(jié)構(gòu)的選擇性腐蝕保護(hù)的封裝體在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010722586.8 | 申請(qǐng)日: | 2020-07-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112289749A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-01-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | J·丹格爾邁爾;K·埃利安 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/10 | 分類號(hào): | H01L23/10;H01L23/495;H01L21/56;H01L23/00 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 周家新 |
| 地址: | 德國(guó)瑙伊*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 連接 結(jié)構(gòu) 選擇性 腐蝕 保護(hù) 封裝 | ||
1.一種封裝體(100),包括:
·載體(114);
·安裝在所述載體(114)上的電子器件(102);和
·包封劑(106),其包封所述電子器件(102)的至少一部分和所述載體(114)的僅一部分,使得所述載體(114)的另一暴露部分(115)相對(duì)于所述包封劑(106)暴露;
·其中,所述載體(114)的暴露部分(115)包括電連接結(jié)構(gòu)(117)和腐蝕保護(hù)結(jié)構(gòu)(110);
·其中,所述電連接結(jié)構(gòu)(117)選擇性地僅形成在所述腐蝕保護(hù)結(jié)構(gòu)(110)的子部分上,或者,所述腐蝕保護(hù)結(jié)構(gòu)(110)選擇性地僅形成在電連接結(jié)構(gòu)(117)的位于包封劑(106)外的子部分上;以及
·其中,所述腐蝕保護(hù)結(jié)構(gòu)(110)是條形的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝體(100),其中,所述腐蝕保護(hù)結(jié)構(gòu)(110)包括或由被配置成能夠用作用于所述電連接結(jié)構(gòu)(117)的電子給體的材料組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的封裝體(100),其中,所述電連接結(jié)構(gòu)(117)包括或由以下組中的材料組成:銅、金、銀、鈀、鐵、鎳和包括這些材料中的至少一種的合金。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的封裝體(100),其中,所述腐蝕保護(hù)結(jié)構(gòu)(110)包括或由以下組中的材料組成:鋁、鈦、鉭、鈮、鎂、錫、鋅和包括這些材料中的至少一種的合金。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的封裝體(100),其中,所述封裝體(100)包括以下特征中的一個(gè):
所述電連接結(jié)構(gòu)(117)形成載體(114)的暴露部分(115)的本體,所述腐蝕保護(hù)結(jié)構(gòu)(110)以顯著較小的體積、即以不超過(guò)所述電連接結(jié)構(gòu)(117)的體積的50%施加于所述電連接結(jié)構(gòu)(117);和
所述腐蝕保護(hù)結(jié)構(gòu)(110)形成載體(114)的暴露部分(115)的本體,所述電連接結(jié)構(gòu)(117)以顯著較小的體積、即以不超過(guò)所述腐蝕保護(hù)結(jié)構(gòu)(110)的體積的50%施加于所述腐蝕保護(hù)結(jié)構(gòu)(110)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的封裝體(100),其中,所述載體(114)具有至少一個(gè)金屬引線(126),所述金屬引線(126)包括由至少一種第一金屬制成的電連接結(jié)構(gòu)(117),并且包括由抑制所述至少一種第一金屬的腐蝕的至少一種第二金屬制成的腐蝕保護(hù)結(jié)構(gòu)(110)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝體(100),其中,所述封裝體(100)包括以下特征中的一個(gè):
所述至少一種第一金屬和所述至少一種第二金屬沿著所述至少一個(gè)引線(126)的至少一部分平行延伸;和
所述至少一種第二金屬沿所述至少一個(gè)引線(126)的延伸方向位于所述至少一種第一金屬的兩個(gè)區(qū)段之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的封裝體(100),其中,所述封裝體(100)包括:腐蝕保護(hù)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)(150),其至少部分地覆蓋所述腐蝕保護(hù)結(jié)構(gòu)(110),并且被配置用于增強(qiáng)對(duì)所述腐蝕保護(hù)結(jié)構(gòu)(110)的腐蝕保護(hù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝體(100),其中,所述腐蝕保護(hù)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)(150)選擇性地覆蓋所述腐蝕保護(hù)結(jié)構(gòu)(110),但不覆蓋所述電連接結(jié)構(gòu)(117)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的封裝體(100),其中,所述腐蝕保護(hù)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)(150)包括以下組中的至少一種:由陽(yáng)極氧化涂層、包括或由被配置成用作用于腐蝕保護(hù)結(jié)構(gòu)(110)的電子給體的材料組成的第二級(jí)腐蝕保護(hù)結(jié)構(gòu)、鈍化涂層、磷化涂層、堆焊涂層、等離子體氧化涂層和等離子體陶瓷轉(zhuǎn)化涂層。
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