[發明專利]顯示裝置的制造方法及顯示裝置有效
| 申請號: | 202010722275.1 | 申請日: | 2020-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN113451217B | 公開(公告)日: | 2022-04-29 |
| 發明(設計)人: | 楊軒;張逵;王廣;林建宏;顏家煌 | 申請(專利權)人: | 重慶康佳光電技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/98 | 分類號: | H01L21/98;H01L25/075;H01L33/62;H01L27/15 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永強 |
| 地址: | 402760 重慶市璧*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置的制造方法,其特征在于,包括如下步驟:
提供一陣列基板,所述陣列基板一側設有多個用于容納第一組焊盤的第一容納槽、多個用于容納第二組焊盤的第二容納槽,以及多個用于容納第三組焊盤的第三容納槽;
采用第一膠材填充所述第一容納槽;
采用第二膠材填充所述第二容納槽,且所述第二膠材區別于所述第一膠材;
在所述第三容納槽中設置第三發光器件;
解膠所述第二膠材,并在所述第二容納槽中設置第二發光器件;
解膠所述第一膠材,并在所述第一容納槽中設置第一發光器件。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,所述第二膠材區別于所述第一膠材,包括:
所述第二膠材的光解波長區別于所述第一膠材的光解波長,和/或
所述第二膠材的降解溫度區別于所述第一膠材的降解溫度。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,所述提供一陣列基板,所述陣列基板一側設有多個用于容納第一組焊盤的第一容納槽、多個用于容納第二組焊盤的第二容納槽,以及多個用于容納第三組焊盤的第三容納槽,包括:
提供一陣列基板,并在所述陣列基板上制作像素定義層;
在所述像素定義層上蝕刻以對應所述第一組焊盤形成所述第一容納槽、對應所述第二組焊盤形成所述第二容納槽、以及對應所述第三組焊盤形成所述第三容納槽,或
提供一陣列基板;
在所述陣列基板一側制作擋墻,以對應所述第一組焊盤形成所述第一容納槽、對應所述第二組焊盤形成所述第二容納槽、以及對應所述第三組焊盤形成所述第三容納槽。
4.根據權利要求3所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,所述在陣列基板上制作像素定義層,包括:
采用黑色聚酰亞胺材料制作所述像素定義層,或
所述在所述陣列基板一側制作擋墻,包括:
采用黑色聚酰亞胺材料在所述陣列基板一側制作擋墻。
5.根據權利要求2所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,所述采用第一膠材填充所述第一容納槽,包括:
采用所述第一膠材填充所述第一容納槽、所述第二容納槽以及所述第三容納槽;
采用第一掩膜板遮擋所述第一容納槽;
采用與所述第一膠材的光解波長和/或降解溫度所匹配的光線將未被遮擋的所述第一膠材去除。
6.根據權利要求5所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,所述采用第二膠材填充與所述第二組焊盤位置對應的所述容納槽,包括:
采用所述第二膠材填充所述第二容納槽與所述第三容納槽;
采用第二掩膜板遮擋所述第二容納槽;
采用與所述第二膠材的光解波長和/或降解溫度所匹配的光線將未被遮擋的所述第二膠材去除。
7.根據權利要求2所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,所述第一膠材與所述第二膠材均為正性光刻膠材,且所述第二膠材的光解波長區別于所述第一膠材的光解波長。
8.根據權利要求7所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,所述第一膠材為聚甲基異丙烯基酮,對應解膠所述第一膠材的光線為200nm-350nm波段的深紫外光;
所述第二膠材為聚丁烯砜聚1,2一二氯丙烯酸,對應解膠所述第二膠材的光線為0.001~10nm波段的X光。
9.根據權利要求2所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,所述第一膠材與所述第二膠材均為熱解膠材,所述第二膠材的降解溫度低于所述第一膠材的降解溫度。
10.根據權利要求1所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,在所述第一容納槽內設置所述第一發光器件、在所述第二容納槽內設置所述第二發光器件以及在所述第三容納槽內設置所述第三發光器件時,采用磁吸或靜電方式進行對位。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





