[發(fā)明專利]一種太陽(yáng)能玻璃組件的封裝方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010722128.4 | 申請(qǐng)日： | 2020-07-24 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN111834481B | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-10-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 東方日升（義烏）新能源有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/048 | 分類號(hào)： | H01L31/048;H01L31/18;B32B17/06;B32B27/06;B32B27/08;B32B27/30;B32B27/32;B32B33/00 |
| 代理公司： | 南京中高專利代理有限公司 32333 | 代理人： | 祝進(jìn) |
| 地址： | 322000 浙江省金華市*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 太陽(yáng)能 玻璃 組件 封裝 方法 | ||
1.一種太陽(yáng)能玻璃組件的封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、提供太陽(yáng)能玻璃組件，所述太陽(yáng)能玻璃組件包括從上往下依次層疊的上玻璃層、上外薄膜、上內(nèi)薄膜、CIGS電池片層、下內(nèi)薄膜、下外薄膜、下玻璃層，將太陽(yáng)能玻璃組件的四周采用封裝膠帶進(jìn)行粘貼固定，形成待層壓件；
S2、將平板式層壓機(jī)由室溫升溫至第一預(yù)設(shè)溫度T,其中；T為120℃～160℃；
S3、通過(guò)傳送帶將敷設(shè)好的待層壓件送入層壓室，到達(dá)指定區(qū)域后進(jìn)行定溫層壓，下腔室進(jìn)行抽真空以排出待層壓件中的氣體，形成預(yù)層壓件，抽真空時(shí)間為t1；其中，t1為5～30min；
S4、接著對(duì)預(yù)層壓件進(jìn)行分段層壓，以將預(yù)層壓件融合層壓在一起，形成二次層壓件；其中，對(duì)預(yù)層壓件進(jìn)行分段層壓，具體包括以下步驟:
S41、待抽真空結(jié)束后，對(duì)預(yù)層壓件進(jìn)行第一階段層壓，保持層壓室溫度處于第一預(yù)定溫度T，第一階段時(shí)間為t2，第一階段壓強(qiáng)為p1；其中，T為160℃，t2為2min，p1為-70Kpa；
S42、對(duì)預(yù)層壓件進(jìn)行第二階段層壓，保持層壓室溫度處于第一預(yù)定溫度T，第二階段時(shí)間為t3，第二階段壓強(qiáng)為p2；其中，T為160℃，t3為2min，p2為-50Kpa；
S43、對(duì)預(yù)層壓件進(jìn)行第三階段層壓，保持層壓室溫度處于第一預(yù)定溫度T，第三階段時(shí)間為t4，第三階段壓強(qiáng)為p3；其中，T為160℃，t4為12min，p3為-30Kpa；
S5、對(duì)下腔室進(jìn)行充氣，充氣時(shí)間為t5；其中，t5為50s～80s；
S6、充氣結(jié)束后開(kāi)啟艙蓋，二次層壓件隨著傳送帶進(jìn)入風(fēng)冷區(qū)；其中，風(fēng)冷時(shí)間t6為5～15min；
S7、取出二次層壓件移至高壓釜艙室，通過(guò)高壓釜進(jìn)行分段加熱加壓，形成定型層壓件，以防止二次層壓件中心區(qū)域未層壓牢實(shí)；
S8、使高壓釜艙室逐漸下降至室溫，同時(shí)艙內(nèi)壓力逐漸泄壓，當(dāng)高壓釜艙室恢復(fù)至常溫常壓時(shí)，取出定型層壓件；
S9、對(duì)定型層壓件進(jìn)行邊緣溢膠處理，完成太陽(yáng)能玻璃組件的封裝。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能玻璃組件的封裝方法，其特征在于,所述傳送帶上設(shè)有耐高溫的PCB板，所述待層壓件的上下方分別用黑色耐高溫布平鋪。
3.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能玻璃組件的封裝方法，其特征在于,所述步驟S7中，通過(guò)高壓釜進(jìn)行分段加熱加壓，具體包括以下步驟:
S71、對(duì)二次層壓件進(jìn)行第一段層壓，高壓釜室內(nèi)溫度由室溫逐步升溫到第一段溫度c1，第一段溫度時(shí)間x1,第一段壓力n1，第一段壓力時(shí)間m1；其中，c1為30℃-80℃，x1為20min-60min，n1為0.2Mpa-0.6Mpa，m1為20min-60min；
S72、對(duì)二次層壓件進(jìn)行第二段層壓，層壓溫度逐步升溫到第二段溫度c2，第二段溫度時(shí)間x2,第二段壓力n2，第二段壓力時(shí)間m2；其中，c2為50℃-100℃，x2為20min-60min，n2為0.2Mpa-1.0Mpa，m2為20min-60min；
S73、對(duì)二次層壓件進(jìn)行第三段層壓，層壓溫度逐步升溫到第三段溫度c3，第三段溫度時(shí)間x3,第三段壓力n3，第三段壓力時(shí)間m3；其中，c3為50℃-130℃，x3為10min-60min，n3為0.2Mpa-1.2Mpa，m3為10min-60min；
S74、對(duì)二次層壓件進(jìn)行第四段層壓，層壓溫度逐步升溫到第四段溫度c4，第四段溫度時(shí)間x4,第四段壓力n4，第四段壓力時(shí)間m4；其中，c4為80℃-160℃，x4為10min-60min，n4為0.5Mpa-1.5Mpa，m4為10min-60min。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
