[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的隔離的形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010719945.4
• 申請日: 2020-07-23
• 公開（公告）號: CN111863705A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 慎壽范;周娜;李俊杰
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所;真芯（北京）半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/8242
• 代理公司: 北京蘭亭信通知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11667
• 代理人: 孫峰芳

1.一種半導(dǎo)體器件的隔離的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；

在所述襯底上形成圖案化的硬掩膜層；

以圖案化的所述硬掩膜層為掩膜對所述襯底進行第一次刻蝕，在所述第一區(qū)域形成若干第一溝槽，在所述第二區(qū)域形成若干第二溝槽，所述第一溝槽的寬度小于所述第二溝槽的寬度，所述第一溝槽的深度小于所述第二溝槽的深度；

形成犧牲層，所述犧牲層覆蓋圖案化的所述硬掩膜層的上表面及所述第一溝槽的底面和所述第二溝槽的底面，所述第一溝槽底面的犧牲層的厚度小于所述第二溝槽底面的犧牲層的厚度；

以所述犧牲層為掩膜，沿所述第一溝槽對所述襯底進行第二次刻蝕，直至所述第一溝槽的深度與所述第二溝槽的深度基本相同；

去除殘留的所述犧牲層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述犧牲層為硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，圖案化的所述硬掩膜層的上表面的犧牲層的厚度為所述第一溝槽底面的犧牲層的厚度為所述第二溝槽底面的犧牲層的厚度為

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝對所述襯底進行第一次刻蝕，刻蝕氣體為HBr和O₂的混合氣體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，沿所述第一溝槽對所述襯底進行第二次刻蝕之前，所述方法還包括：

去除所述第一溝槽底面的犧牲層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，采用干法刻蝕去除所述第一溝槽底面的犧牲層，刻蝕氣體為包括CF₄和O₂的混合氣體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝對所述襯底進行第二次刻蝕，刻蝕氣體為HBr和O₂的混合氣體。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用濕法刻蝕去除殘留的所述犧牲層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為DRAM。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述隔離為淺溝槽隔離，所述第一區(qū)域為存儲區(qū)，所述第二區(qū)域為外圍區(qū)。