[發明專利]充放電MOS管的黏連檢測電路及其檢測方法

在審

• 申請號: 202010719247.4
• 申請日: 2020-07-23
• 公開（公告）號: CN112798916A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 張偉峰;程亞兵;張軼;余翠羊
• 申請（專利權）人: 浙江高泰昊能科技有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R31/55
• 代理公司: 杭州知學知識產權代理事務所(普通合伙) 33356
• 代理人: 張雯

1.充放電MOS管的黏連檢測電路，其特征在于，包括控制單元、第一檢測單元、第二檢測單元、充電MOS管Q2以及放電MOS管Q1；所述控制單元分別與所述第一檢測單元、第二檢測單元、充電MOS管Q2以及放電MOS管Q1連接；其中，所述控制單元，用于控制充電MOS管Q2以及放電MOS管Q1的閉合或斷開，并根據第一檢測單元和第二檢測單元輸入的信號進行分析，并反饋分析結果至指定設備；所述第一檢測單元，用于當所述控制單元控制充電MOS管Q2斷開時，檢測充電MOS管Q2的集電極電壓信號；所述第二檢測單元，用于當所述控制單元控制放電MOS管Q1斷開時，檢測放電MOS管Q1的集電極電壓信號。

2.根據權利要求1所述的充放電MOS管的黏連檢測電路，其特征在于，還包括電源單元，所述電源單元分別與所述第一檢測單元以及所述第二檢測單元連接。

3.根據權利要求2所述的充放電MOS管的黏連檢測電路，其特征在于，所述第一檢測單元包括三極管Q8，所述控制單元分別與所述三極管Q8的基極以及所述充電MOS管Q2的漏極連接，所述三極管Q8的基極與所述充電MOS管Q2的漏極連接，所述三極管Q8的發射極與所述充電MOS管Q2的源極連接，所述三極管Q8的集電極與所述電源單元連接，所述三極管Q8的集電極與所述控制單元連接。

4.根據權利要求3所述的充放電MOS管的黏連檢測電路，其特征在于，所述三極管Q8的基極與所述控制單元之間連接有偏置電阻R3，所述控制單元與所述偏置電阻R3之間還連接有電阻R6，所述電阻R6與所述充電MOS管Q2的漏極之間還連接有防反接二極管D6，所述三極管Q8的發射極連接有防反接二極管D5，所述防反接二極管D5的負極與所述充電MOS管Q2的源極連接。

5.根據權利要求4所述的充放電MOS管的黏連檢測電路，其特征在于，所述三極管Q8的集電極與所述電源單元之間連接有電阻R4，所述控制單元的輸入端腳連接于所述電阻R4與所述三極管Q8的集電極之間。

6.根據權利要求4所述的充放電MOS管的黏連檢測電路，其特征在于，所述第二檢測單元包括三極管Q9，所述控制單元分別與所述三極管Q9的基極以及所述放電MOS管Q1的漏極連接，所述三極管Q9的基極與所述放電MOS管Q1的漏極連接，所述三極管Q9的發射極與所述放電MOS管Q1的源極連接，所述三極管Q9的集電極與所述電源單元連接，所述三極管Q8的集電極與所述控制單元連接。

7.根據權利要求6所述的充放電MOS管的黏連檢測電路，其特征在于，所述三極管Q9的基極與所述控制單元之間連接有偏置電阻R1，所述偏置電阻R1與所述電阻R6連接，所述放電MOS管Q1的漏極與所述防反接二極管D6連接，所述三極管Q9的發射極與電池組連接。

8.根據權利要求7所述的充放電MOS管的黏連檢測電路，其特征在于，所述三極管Q9的集電極與所述電源單元之間連接有電阻R2，所述控制單元的輸入端腳連接于所述電阻R2與所述三極管Q9的集電極之間。

9.根據權利要求8所述的充放電MOS管的黏連檢測電路，其特征在于，所述控制單元的端腳還連接有電阻R5，所述電阻R5的另一端連接有三極管Q10，所述三極管Q10的集電極通過電阻R6與所述防反接二極管D6的負極連接。

10.充放電MOS管的黏連檢測電路的檢測方法，其特征在于，包括：

控制單元控制充電MOS管Q2以及放電MOS管Q1的閉合或斷開；

當所述控制單元控制充電MOS管Q2斷開時，第一檢測單元檢測充電MOS管Q2的集電極電壓信號；

當所述控制單元控制放電MOS管Q1斷開時，第二檢測單元檢測放電MOS管Q1的集電極電壓信號；

控制單元根據第一檢測單元和第二檢測單元輸入的信號進行分析，并反饋分析結果至指定設備。