[發明專利]保持一致性的光學鄰近校正方法和使用其制造掩模的方法

在審

• 申請號: 202010716289.2
• 申請日: 2020-07-23
• 公開（公告）號: CN112668272A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: 吳興錫;金周炳;金相勛;金局炫
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F30/392
• 分類號: G06F30/392;G03F7/20;G03F1/36
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邵亞麗

本申請公開了保持一致性的光學鄰近校正方法和使用其制造掩模的方法。根據本申請，一種計算機可讀介質包括程序代碼，該程序代碼在由處理電路運行時，使處理電路將半導體芯片的布局劃分為多個片區，從多個片區中的每個的布局生成多個分段，其中多個片區中的第一片區包括第一分段并且多個片區中的第二片區包括第二分段，通過使用哈希函數計算分別與第一分段和第二分段相對應的哈希值，計算第一分段當中具有第一哈希值的分段的偏置值，基于偏置值計算代表值，以及將代表值應用于第一分段中具有第一哈希值的分段。

相關申請的交叉引用

本申請要求2019年10月15日提交的美國專利臨時申請第62/915,109號和2019年11月6日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請第10-2019-0141095號的優先權，其每項的公開內容均通過引用并入本文。

技術領域

本文描述的本發明構思的示例實施例涉及半導體工藝，并且更具體地，涉及其中保持一致性的光學鄰近校正的方法和/或通過使用該方法制造掩模的方法。

背景技術

隨著電子工業的飛速發展，對具有更高性能、更高可靠性和/或更小尺寸的電子器件的需求不斷增長。電子器件用例如通過半導體制造工藝制造的半導體器件來實現。因此，為了滿足要求/需求，半導體器件的結構可以逐漸變得復雜和/或可以高度集成。

在半導體器件的制造中可以使用至少一種光刻工藝。可以通過光刻工藝將例如包括各種圖案的層之一的布局印刷在諸如半導體晶片的半導體襯底上。然而，隨著半導體工藝的集成度增加，掩模的圖像圖案之間的距離變得非常接近。由于該“接近”，會發生光的干涉和/或衍射，并且在襯底上印刷了與目標布局不同的變形的布局。

為了防止或減小布局的變形量，可以使用諸如光學鄰近校正(optical proximitycorrection，OPC)的分辨率增強技術，并且掩模可以包括諸如襯線(serif)的OPC特征以減少布局上的變形量。然而，在對具有相同形狀和相同周圍條件的圖案執行OPC的情況下，就半導體器件的可靠性而言，保持一致性非常重要。替代地或附加地，用于生成偏置值的模擬過程需要很多時間。因此，在保持一致性的同時有效地執行光學鄰近校正是非常重要的。

發明內容

本發明構思的一些示例實施例提供了一種光學鄰近校正方法，該方法使得可以相對于具有相同環境條件的圖案保持一致性。

替代地或附加地，本發明構思的一些示例實施例提供了一種用于制造通過使用光學鄰近校正而生成的掩模的方法，該方法可以使得能夠保持一致性。

根據一些示例實施例，一種非暫時性計算機可讀介質包括程序代碼，該程序代碼在由至少一個處理電路運行時，使所述至少一個處理電路將半導體芯片的布局劃分為多個片區(patch)，從多個片區中的每個片區的劃分的布局中生成多個分段(segment)，其中多個片區中的第一片區包括第一分段，多個片區中的第二片區包括第二分段，計算與第一分段對應的哈希值和與第二分段對應的哈希值，通過使用哈希函數計算哈希值，計算具有第一哈希值的第一分段的子集的偏置值，基于所述偏置值計算代表值，將代表值應用于第一分段的哈希值當中具有第一哈希值的分段的子集。哈希函數取決于多個分段中的每個分段的第一特性值、與每個分段相鄰的至少一個分段的第二特性值、或每個分段與至少一個分段之間的第三特性值中的至少一個。

根據一些示例實施例，一種計算機可讀介質包括非暫時性程序代碼，該非暫時性程序代碼在由至少一個處理電路運行時，使該至少一個處理電路從半導體器件的布局生成多個分段，通過使用取決于每個分段的第一特性值、與每個分段相鄰的至少一個分段的第二特性值、或每個分段與至少一個分段之間的第三特性值中的至少一個的哈希函數來計算多個分段中每個分段的哈希值，分別針對多個分段計算偏置值，基于具有相同哈希值的多個分段的子集的偏置值，從所計算的哈希值中計算代表值，并將代表值應用于具有相同哈希值的多個分段。