[發明專利]靜電放電保護電路在審
| 申請號: | 202010715708.0 | 申請日: | 2020-07-23 |
| 公開(公告)號: | CN112397501A | 公開(公告)日: | 2021-02-23 |
| 發明(設計)人: | 孔珉喆 | 申請(專利權)人: | 硅工廠股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L23/60 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 劉久亮;黃綸偉 |
| 地址: | 韓國大*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 放電 保護 電路 | ||
1.一種靜電放電ESD保護電路,該ESD保護電路包括:
多個晶體管,每個晶體管包括柵極端子、漏極端子和源極端子;
第一連接線,該第一連接線連接到所述多個晶體管的所述漏極端子;
第二連接線,該第二連接線連接到所述多個晶體管的所述源極端子;
第三連接線,該第三連接線連接到所述多個晶體管的所述柵極端子;
外部電阻器,該外部電阻器連接到所述第三連接線;以及
接地端子,該接地端子連接到所述外部電阻器,
其中,所述外部電阻器包括彼此并聯連接的第一電阻器和第二電阻器。
2.根據權利要求1所述的ESD保護電路,其中,
所述第一電阻器設置在所述多個晶體管中的每一個的一側的外部,并且所述第二電阻器設置在所述多個晶體管中的每一個的另一側的外部,并且
所述第一電阻器和所述第二電阻器在與所述柵極端子的延伸方向相同的方向上延伸。
3.根據權利要求1所述的ESD保護電路,其中,
所述第三連接線包括與所述柵極端子中的每一個的一端連接的一側的第三連接線和與所述柵極端子中的每一個的另一端連接的另一側的第三連接線,并且
所述第一電阻器連接到所述一側的第三連接線,并且所述第二電阻器連接到所述另一側的第三連接線。
4.根據權利要求3所述的ESD保護電路,其中,
所述一側的第三連接線包括第一連接部分和第二連接部分,所述第一連接部分連接到所述柵極端子中的每一個的所述一端,并且所述第二連接部分將所述第一連接部分連接到所述第一電阻器的一端,并且
所述另一側的第三連接線包括第一連接部分和第二連接部分,所述另一側的第三連接線的所述第一連接部分連接到所述柵極端子中的每一個的所述另一端,并且所述另一側的第三連接線的所述第二連接部分將所述另一側的第三連接線的所述第一連接部分連接到所述第二電阻器的一端。
5.根據權利要求4所述的ESD保護電路,其中,
所述一側的第三連接線的所述第一連接部分與所述第一連接線相交,并且
所述另一側的第三連接線的所述第一連接部分與所述第二連接線相交。
6.根據權利要求4所述的ESD保護電路,其中,所述一側的第三連接線的所述第二連接部分、所述另一側的第三連接線的所述第二連接部分、所述第一連接線和所述第二連接線設置在相同層上并且包括相同導電材料。
7.根據權利要求1所述的ESD保護電路,該ESD保護電路還包括:
接地線,該接地線設置在所述多個晶體管的外部;
一側的第四連接線,該一側的第四連接線將所述接地線連接到所述第一電阻器;以及
另一側的第四連接線,該另一側的第四連接線將所述接地線連接到所述第二電阻器。
8.根據權利要求7所述的ESD保護電路,其中,所述一側的第四連接線、所述另一側的第四連接線、所述第一連接線和所述第二連接線設置在相同層上并且包括相同導電材料。
9.根據權利要求1所述的ESD保護電路,其中,
所述第一電阻器和是第二電阻器中的每一個包括電阻組件、連接到所述電阻組件的一端的第一電極和連接到所述電阻組件的另一端的第二電極,并且
所述電阻組件設置在與所述柵極端子相同的層上,并且包括與所述柵極端子的材料相同的材料。
10.根據權利要求1所述的ESD保護電路,其中,所述第一連接線包括多個第一連接部分和連接所述多個第一連接部分的第二連接部分,所述多個第一連接部分連接到所述漏極端子以在與所述漏極端子的延伸方向相同的方向上延伸。
11.根據權利要求1所述的ESD保護電路,其中,所述多個晶體管包括共享所述源極端子或所述漏極端子的兩個相鄰晶體管。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于硅工廠股份有限公司,未經硅工廠股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010715708.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





