[發(fā)明專利]用于保護(hù)在存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的方法與對(duì)應(yīng)的集成電路

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010715662.2
• 申請(qǐng)日: 2020-07-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112307524A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: P·弗納拉;F·馬里內(nèi)特
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體(魯塞)公司
• 主分類號(hào): G06F21/79
• 分類號(hào): G06F21/79;H01L23/00;H01L23/522
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 董莘

本公開(kāi)的實(shí)施例涉及用于保護(hù)在存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的方法與對(duì)應(yīng)的集成電路。一種集成電路存儲(chǔ)器，包括：狀態(tài)晶體管，具有浮置柵極，該狀態(tài)晶體管存儲(chǔ)相應(yīng)數(shù)據(jù)值。一種器件，用于保護(hù)在存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，包括電容性結(jié)構(gòu)，該電容性結(jié)構(gòu)具有耦合到狀態(tài)晶體管的浮置柵極的第一導(dǎo)電體、介電體、以及耦合到接地端子的第二導(dǎo)電體。介電體被配置為，如果水溶液與介電體接觸，則電耦合浮置柵極和接地端子，以便修改在浮置柵極上的電荷，并且丟失對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)，否則電隔離浮置柵極和接地端子。

優(yōu)先權(quán)聲明

本申請(qǐng)要求于2019年7月24日提交的法國(guó)專利申請(qǐng)第1908376號(hào)的優(yōu)先權(quán)權(quán)益，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容在通過(guò)法律可允許的最大范圍內(nèi)，通過(guò)引用的方式并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

各個(gè)實(shí)施例及其實(shí)現(xiàn)方式涉及保護(hù)在集成電路存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，尤其是涉及防止逆向工程。

背景技術(shù)

逆向工程技術(shù)可以使得能夠重構(gòu)集成電路的整個(gè)物理結(jié)構(gòu)，并且還能夠恢復(fù)在集成電路的非易失性存儲(chǔ)器內(nèi)包含的數(shù)據(jù)，特別是秘密數(shù)據(jù)。

例如，如果數(shù)據(jù)構(gòu)成用于分析集成電路的操作的關(guān)鍵元素，或者如果數(shù)據(jù)包含加密密鑰/解密密鑰、標(biāo)識(shí)信息或認(rèn)證信息，或者出于任何其他原因，則數(shù)據(jù)必須被保密。

從非易失性存儲(chǔ)器中恢復(fù)數(shù)據(jù)通常包括納米探測(cè)技術(shù)、無(wú)源電壓對(duì)比(PVC)技術(shù)、或電子束感應(yīng)電流(EBIC)技術(shù)。

這些技術(shù)需要經(jīng)由前面來(lái)訪問(wèn)集成電路的逆向分析部分，以便使探針通常與集成電路的逆向分析部分接觸，或者經(jīng)由后面訪問(wèn)集成電路的逆向分析部分，以便訪問(wèn)存儲(chǔ)器單元的浮置柵極。

常規(guī)地，前面是集成電路的半導(dǎo)體襯底的面，在該面上形成了晶體管，并且通常在其頂部上找到互連部分(通常由“線路后段(Back End of Line)”的首字母縮寫B(tài)EOL指示)。

后面是與襯底的前面相對(duì)的面。

為了獲得對(duì)集成電路的逆向分析部分的訪問(wèn)，集成電路通常以機(jī)械方式、通過(guò)使用聚焦離子束(FIB)、或通過(guò)等離子體燒蝕進(jìn)行加工。

前面的機(jī)械加工或化學(xué)機(jī)械加工尤其允許逐級(jí)延遲互連部分，以便重構(gòu)互連。機(jī)械加工通常包括用水、或潛在地用在水溶液中的化合物潤(rùn)滑的機(jī)械拋光。在后面上，這種技術(shù)允許減薄電路。

通過(guò)聚焦離子束FIB進(jìn)行加工，允許實(shí)現(xiàn)納米蝕刻，例如以便經(jīng)由后面到達(dá)浮置柵極附近，以便例如通過(guò)PVC或EBIC觀察浮置柵極的電行為，并且由此推斷出所存儲(chǔ)的信息。經(jīng)由前面，F(xiàn)IB技術(shù)還允許訪問(wèn)互連層級(jí)。

如果集成電路沒(méi)有加電、或如果集成電路的功能被破壞，則用于檢測(cè)逆向工程的傳統(tǒng)器件針對(duì)檢測(cè)上述方法無(wú)效。

因此，期望的是，改善用于保護(hù)在集成電路存儲(chǔ)器內(nèi)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)、并且防止所有類型的攻擊的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)一方面，提供了用于保護(hù)在集成電路的存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的方法，包括：制造存儲(chǔ)器，包括：制造至少一個(gè)狀態(tài)晶體管，至少一個(gè)晶體管包括浮置柵極；以及將相應(yīng)數(shù)據(jù)值寫入到每個(gè)狀態(tài)晶體管中，包括：將表示數(shù)據(jù)的電荷存儲(chǔ)在狀態(tài)晶體管的浮置柵極中；制造保護(hù)器件，包括：針對(duì)至少一個(gè)狀態(tài)晶體管，形成至少一個(gè)電容性結(jié)構(gòu)，至少一個(gè)電容性結(jié)構(gòu)包括耦合到狀態(tài)晶體管的浮置柵極的第一導(dǎo)電體、介電體、以及耦合到接地端子的第二導(dǎo)電體，其中介電體被配置為，如果水溶液與介電體接觸，則電耦合浮置柵極和接地端子，以便修改在浮置柵極上的電荷、并且丟失對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)，否則用于電隔離浮置柵極和接地端子。

換句話說(shuō)，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的狀態(tài)晶體管連接到電容性結(jié)構(gòu)，該電容性結(jié)構(gòu)起著天線的作用，其目的是在逆向工程的情況下丟失存儲(chǔ)的信息。