[發(fā)明專利]用于保護(hù)在存儲器中存儲的數(shù)據(jù)的方法與對應(yīng)的集成電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010715662.2 | 申請日： | 2020-07-23 |
| 公開（公告）號： | CN112307524A | 公開（公告）日： | 2021-02-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | P·弗納拉;F·馬里內(nèi)特 | 申請（專利權(quán)）人： | 意法半導(dǎo)體(魯塞)公司 |
| 主分類號： | G06F21/79 | 分類號： | G06F21/79;H01L23/00;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 法國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 保護(hù) 存儲器 存儲 數(shù)據(jù) 方法 對應(yīng) 集成電路 | ||
1.一種集成電路，包括：
存儲器，包括狀態(tài)晶體管，所述狀態(tài)晶體管包括浮置柵極，其中所述狀態(tài)晶體管被配置為將代表相應(yīng)數(shù)據(jù)值的電荷存儲在所述狀態(tài)晶體管的浮置柵極中；
用于保護(hù)在所述存儲器中存儲的所述數(shù)據(jù)的器件，所述器件包括電容性結(jié)構(gòu)，所述電容性結(jié)構(gòu)包括：
第一導(dǎo)電體，耦合到所述狀態(tài)晶體管的所述浮置柵極；
介電體；以及
第二導(dǎo)電體，耦合到接地端子；
其中所述介電體被配置為：
如果水溶液與所述介電體接觸，則電耦合所述浮置柵極和所述接地端子，以便修改在所述浮置柵極上的所述電荷，并且丟失所對應(yīng)的數(shù)據(jù)；以及
否則，電隔離所述浮置柵極和所述接地端子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述第一導(dǎo)電體和所述第二導(dǎo)電體位于所述集成電路的互連部分的相同金屬層級內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路，其中所述第二導(dǎo)電體具有與所述第一導(dǎo)電體的形狀的輪廓的至少一部分匹配的形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路，其中所述第一導(dǎo)電體包括第一金屬軌道，所述第一金屬軌道在相應(yīng)金屬層級的平面的方向上延伸，并且所述第二導(dǎo)電體包括與所述第一金屬軌道并排延伸的第二金屬軌道。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述存儲器還包括另一狀態(tài)晶體管，所述另一狀態(tài)晶體管包括另一浮置柵極，其中用于保護(hù)所述數(shù)據(jù)的所述器件還包括另一電容性結(jié)構(gòu)，并且其中所述電容性結(jié)構(gòu)和所述另一電容性結(jié)構(gòu)位于所述集成電路的互連部分的不同金屬層級內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述介電體包括材料，所述材料被包括在所述集成電路的互連部分的金屬層級的金屬間介電層內(nèi)，相應(yīng)導(dǎo)電體位于所述金屬層級內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，還包括第一補償電容性結(jié)構(gòu)，所述第一補償電容性結(jié)構(gòu)包括第三導(dǎo)電體，所述第三導(dǎo)電體耦合到所述狀態(tài)晶體管的控制柵極，所述控制柵極位于所述浮置柵極上方，其中所述第三導(dǎo)電體被配置為與所述電容性結(jié)構(gòu)的所述第一導(dǎo)電體電容性耦合。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述數(shù)據(jù)保護(hù)器件還包括第一溝槽，所述第一溝槽填充有導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料在深度上垂直地延伸到所述集成電路的半導(dǎo)體襯底中，填充所述溝槽的所述導(dǎo)電材料被電耦合到所述狀態(tài)晶體管的所述浮置柵極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路，其中所述第一溝槽/所述第二溝槽填充有導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料具有與耦合到所述狀態(tài)晶體管的掩埋存取晶體管的垂直柵極相同的結(jié)構(gòu)，并且所述導(dǎo)電材料包括與所述垂直柵極相同的材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路，還包括第二補償電容性結(jié)構(gòu)，所述第二補償電容性結(jié)構(gòu)包括第二溝槽，所述第二溝槽填充有導(dǎo)電材料，其中填充所述第二溝槽的所述導(dǎo)電材料被配置為與填充所述數(shù)據(jù)保護(hù)器件的所述第一溝槽的所述導(dǎo)電材料電容性耦合。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的集成電路，其中所述第一溝槽/所述第二溝槽填充有導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料具有與耦合到所述狀態(tài)晶體管的掩埋存取晶體管的垂直柵極相同的結(jié)構(gòu)，并且包括與所述垂直柵極相同的材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中在所述狀態(tài)晶體管中存儲的所述數(shù)據(jù)為旨在被讀取以便實現(xiàn)所述集成電路的功能的數(shù)據(jù)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的集成電路，其中所述數(shù)據(jù)是對用于啟動所述集成電路的指令進(jìn)行編碼的數(shù)據(jù)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的集成電路，其中所述數(shù)據(jù)是加密密鑰/解密密鑰的數(shù)據(jù)。
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