[發明專利]薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板、顯示面板及設備

在審

• 申請號: 202010714003.7
• 申請日: 2020-07-22
• 公開（公告）號: CN111834466A
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: 李全虎
• 申請（專利權）人: OPPO廣東移動通信有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L29/423;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 唐雙

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括柵極、柵極絕緣層、有源層以及保護層；

其中，所述有源層設置在所述柵極絕緣層的一側，所述柵極設置在所述柵極絕緣層背離所述有源層的另一側，所述柵極的方塊電阻值小于等于預設方塊電阻值，所述柵極至少包括第一金屬層；

所述保護層至少覆蓋所述第一金屬層的裸露表面，以防止所述第一金屬層被氧化。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述第一金屬層的材料選自銅、鋁中的至少一種；

所述保護層的材料選自鉬、鈦及它們的合金或混合物、鉬鈮合金中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述柵極還包括第二金屬層和第三金屬層，所述第二金屬層、所述第一金屬層和所述第三金屬層依次層疊設置，且所述第二金屬層與所述柵極絕緣層接觸設置；

其中，所述第二金屬層、所述第一金屬層和所述第三金屬層的截面均呈上窄下寬的梯形狀，且所述柵極的各個金屬層靠近所述柵極絕緣層的表面為所述梯形的底面。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述第一金屬層的材料選自銅、鋁中的至少一種；

所述第二金屬層、所述第三金屬層的材料選自鈦或含鈦合金。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述保護層完全覆蓋所述柵極的外表面，且所述保護層至少部分覆蓋裸露的所述柵極絕緣層。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述有源層包括溝道區、位于所述溝道區一側的源極摻雜區、以及位于所述溝道區相對另一側的漏極摻雜區；

其中，所述柵極在所述柵極絕緣層上的投影與所述溝道區在所述柵極絕緣層上的投影重合；

所述保護層的截面形狀呈上窄下寬的梯形，所述保護層與所述柵極絕緣層接觸的表面為梯形的底面，所述保護層在所述柵極絕緣層上的投影覆蓋所述溝道區在所述柵極絕緣層上的投影。

7.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供柵極，其中，所述柵極的方塊電阻值小于等于預設方塊電阻值，所述柵極至少包括第一金屬層；

在所述柵極一側形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層背離所述柵極的一側形成有源層；

在所述柵極上形成保護層，其中，所述保護層至少覆蓋所述第一金屬層的裸露表面，以防止所述第一金屬層被氧化。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，

所述第一金屬層的材料選自銅、鋁中的至少一種；

所述保護層的材料選自鉬、鈦及它們的合金或混合物、鉬鈮合金中的至少一種。

9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，

所述柵極還包括第二金屬層和第三金屬層，所述第二金屬層、所述第一金屬層和所述第三金屬層依次層疊設置，且所述第二金屬層與所述柵極絕緣層接觸設置；

其中，所述第二金屬層、所述第一金屬層和所述第三金屬層的截面均呈上窄下寬的梯形狀，且所述柵極的各個金屬層靠近所述柵極絕緣層的表面為所述梯形的底面。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，

所述第一金屬層的材料選自銅、鋁中的至少一種；

所述第二金屬層、所述第三金屬層的材料選自鈦或含鈦合金。

11.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在用于形成所述柵極的第一介質層上形成第一光刻膠層；

利用第一掩膜版對所述第一光刻膠層進行曝光，其中所述第一光刻膠層的保留區域對應所述柵極；

進行刻蝕工藝，去除掉部分曝光區域的所述第一介質層，形成所述柵極。