[發(fā)明專利]DCDC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010713801.8
• 申請(qǐng)日: 2020-07-23
• 公開（公告）號(hào): CN111600483B
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王冬峰;何云;夏虎;劉桂芝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海南麟電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H02M3/156
• 分類號(hào): H02M3/156;H02M1/32;H02M1/088
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 施婷婷

本發(fā)明提供一種DCDC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路，包括：控制信號(hào)產(chǎn)生模塊，產(chǎn)生與輸入信號(hào)邏輯一致的控制信號(hào)；第一、第二PMOS管及第一NMOS管串聯(lián)于電源和地之間，第一NMOS管及第二PMOS管的柵極分別連接輸入信號(hào)及控制信號(hào)，第一NMOS管及第二PMOS管漏極輸出驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)；第三PMOS管與第二NMOS管串聯(lián)于第一PMOS管的漏極與地之間，第三PMOS管與第二NMOS管的柵極連接控制信號(hào)，漏極連接第一PMOS管的柵極；第四PMOS管與第三NMOS管串聯(lián)于電源與地之間，第四PMOS管與第三NMOS管的柵極連接輸入信號(hào)，漏極經(jīng)由第一電容連接第一PMOS管的漏極。本發(fā)明將自舉電容和驅(qū)動(dòng)電路合并，可以將自舉電容的容值和面積縮小到傳統(tǒng)數(shù)值的數(shù)百分之一到千分之一，實(shí)現(xiàn)了自舉電容內(nèi)置且簡(jiǎn)化了應(yīng)用方案。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種DCDC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)

DC/DC轉(zhuǎn)換器是開關(guān)電源芯片，利用電容、電感的儲(chǔ)能的特性，通過可控開關(guān)（MOSFET等）進(jìn)行高頻開關(guān)的動(dòng)作，將輸入的電能儲(chǔ)存在電容（感）里，當(dāng)開關(guān)斷開時(shí)，電能再釋放給負(fù)載，提供能量。其輸出的功率或電壓的能力與占空比（由開關(guān)導(dǎo)通時(shí)間與整個(gè)開關(guān)的周期的比值）有關(guān)。開關(guān)電源可以用于升壓和降壓。

降壓型DCDC采用NMOS管作為主功率開關(guān)管，如圖1所示，其中，PMOS管PM1和NMOS管NM2作為驅(qū)動(dòng)電路輸出級(jí)，PMOS管PM1與NMOS管NM2的漏極相連輸出信號(hào)hsg接主功率開關(guān)管NM1的柵極；主功率開關(guān)管NM1的漏極連接電源電壓，源極連接NMOS管NM2的源極；第一電容C作為驅(qū)動(dòng)電源的穩(wěn)壓電容使用，連接于主功率開關(guān)管NM1的源極和PMOS管PM1的源極之間。此第一電容C的容值一般要求數(shù)十nF至上百nF，如果采用將第一電容C和芯片集成在一起的設(shè)計(jì)方案，如此龐大的電容所需要的芯片面積將非常大，理論上無法與芯片集成在一起制造，只能通過增加端口并采用外置方案來實(shí)現(xiàn)，相應(yīng)地，應(yīng)用方案復(fù)雜、生產(chǎn)成本增加。

因此，如何簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用方案、減小生產(chǎn)成本，已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題之一。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種DCDC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用方案復(fù)雜、成本高等問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種DCDC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路，所述DCDC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路至少包括：

控制信號(hào)產(chǎn)生模塊、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管及第一電容；

所述控制信號(hào)產(chǎn)生模塊連接輸入信號(hào)，當(dāng)所述輸入信號(hào)為高電平時(shí)產(chǎn)生高電平的控制信號(hào)，當(dāng)所述輸入信號(hào)為低電平時(shí)產(chǎn)生低電平的控制信號(hào)；

所述第一PMOS管、所述第二PMOS管及所述第一NMOS管依次串聯(lián)于電源電壓和參考地之間，所述第一NMOS管的柵極連接所述輸入信號(hào)，所述第二PMOS管的柵極連接所述控制信號(hào)產(chǎn)生模塊的輸出端，所述第一NMOS管及所述第二PMOS管漏極輸出驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)；

所述第三PMOS管與所述第二NMOS管依次串聯(lián)于所述第一PMOS管的漏極與所述參考地之間，所述第三PMOS管與所述第二NMOS管的柵極連接所述控制信號(hào)產(chǎn)生模塊的輸出端，所述第三PMOS管與所述第二NMOS管的漏極連接所述第一PMOS管的柵極；

所述第四PMOS管與所述第三NMOS管依次串聯(lián)于所述電源電壓與所述參考地之間，所述第四PMOS管與所述第三NMOS管的柵極連接所述輸入信號(hào)，所述第四PMOS管與所述第三NMOS管的漏極經(jīng)由所述第一電容連接所述第一PMOS管的漏極。