[發明專利]DCDC轉換器的開關驅動電路

有效

• 申請號: 202010713801.8
• 申請日: 2020-07-23
• 公開（公告）號: CN111600483B
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 王冬峰;何云;夏虎;劉桂芝
• 申請（專利權）人: 上海南麟電子股份有限公司
• 主分類號: H02M3/156
• 分類號: H02M3/156;H02M1/32;H02M1/088
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 施婷婷

1.一種DCDC轉換器的開關驅動電路，其特征在于，所述DCDC轉換器的開關驅動電路包括：

控制信號產生模塊、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一電容及保護模塊；

所述控制信號產生模塊連接輸入信號，當所述輸入信號為高電平時產生高電平的控制信號，當所述輸入信號為低電平時產生低電平的控制信號；

所述第一PMOS管、所述第二PMOS管及所述第一NMOS管依次串聯于電源電壓和參考地之間，所述第一NMOS管的柵極連接所述輸入信號，所述第二PMOS管的柵極連接所述控制信號產生模塊的輸出端，所述第一NMOS管及所述第二PMOS管漏極輸出驅動控制信號；

所述第三PMOS管與所述第二NMOS管依次串聯于所述第一PMOS管的漏極與所述參考地之間，所述第三PMOS管與所述第二NMOS管的柵極連接所述控制信號產生模塊的輸出端，所述第三PMOS管與所述第二NMOS管的漏極連接所述第一PMOS管的柵極；

所述第四PMOS管與所述第三NMOS管依次串聯于所述電源電壓與所述參考地之間，所述第四PMOS管與所述第三NMOS管的柵極連接所述輸入信號，所述第四PMOS管與所述第三NMOS管的漏極經由所述第一電容連接所述第一PMOS管的漏極；

所述保護模塊連接于所述控制信號產生模塊的輸出端，當所述控制信號產生模塊輸出低電平的控制信號時，將所述控制信號的電平拉高，以保護所述第二PMOS管。

2.根據權利要求1所述的DCDC轉換器的開關驅動電路，其特征在于：所述控制信號產生模塊包括第一非門，第二非門，第二電容、第一電阻及第五PMOS管；所述第一非門的輸入端連接所述輸入信號，輸出端連接所述第二非門的輸入端；所述第二非門的輸出端連接所述第二電容的第一端；所述第二電容的第二端連接所述第一電阻的第一端；所述第一電阻的第二端輸出所述控制信號；所述第五PMOS管的源極連接電源電壓，柵極連接所述第一非門的輸出端，漏極連接所述第一電阻的第二端。

3.根據權利要求1所述的DCDC轉換器的開關驅動電路，其特征在于：所述第一NMOS管及所述第二NMOS管為高耐壓結構的NMOS管。

4.根據權利要求1所述的DCDC轉換器的開關驅動電路，其特征在于：所述第一電容的容值設置為10pF~1nF。

5.根據權利要求1所述的DCDC轉換器的開關驅動電路，其特征在于：所述保護模塊包括第六PMOS管及第二電阻；所述第六PMOS管的源極連接所述電源電壓，柵極連接所述控制信號產生模塊的輸出端，漏極經由所述第二電阻連接所述控制信號產生模塊的輸出端。