[發(fā)明專利]空穴傳輸材料的修飾方法、發(fā)光器件及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010711473.8
• 申請(qǐng)日: 2020-07-22
• 公開（公告）號(hào): CN113968960A
• 公開（公告）日: 2022-01-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姚振壘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): C08G61/12
• 分類號(hào): C08G61/12;C08F8/00;C08F126/12;C08G79/04;H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 曹柳

本發(fā)明屬于顯示器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種空穴傳輸材料的修飾方法，包括以下步驟：獲取聚合物空穴傳輸材料；采用酸性化合物對(duì)聚合物空穴傳輸材料進(jìn)行修飾處理，得到修飾后的空穴傳輸材料。本發(fā)明空穴傳輸材料的修飾方法，采用酸性化合物對(duì)聚合物空穴傳輸材料進(jìn)行修飾處理，提高聚合物空穴傳輸材料的功函數(shù)，有利于降低空穴傳輸層中空穴注入勢(shì)壘，從而降低空穴傳輸層與量子點(diǎn)發(fā)光層之間價(jià)帶的能級(jí)差，進(jìn)而提高量子點(diǎn)發(fā)層中空穴的注入效率，提高量子點(diǎn)發(fā)光層中電子與空穴的復(fù)合效率，提高發(fā)光器件的發(fā)光效率和穩(wěn)定性，延長(zhǎng)使用壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)屬于顯示器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種空穴傳輸材料的修飾方法，以及一種發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)

量子點(diǎn)材料由于其激發(fā)光譜寬、發(fā)射光譜窄、發(fā)光波長(zhǎng)可調(diào)、發(fā)光效率高等光學(xué)特點(diǎn)，被認(rèn)為是極具潛力的新型光電材料。近年來，量子點(diǎn)(QD)發(fā)光材料在新型顯示和照明、太陽能電池、生物標(biāo)記等領(lǐng)域具有廣泛地應(yīng)用前景。量子點(diǎn)顯示技術(shù)依賴于紅綠藍(lán)像素的獨(dú)立發(fā)光。通過調(diào)節(jié)量子點(diǎn)的尺寸可以得到具有不同能帶寬度的量子點(diǎn)。具有不同能帶寬度的量子點(diǎn)，在一定波長(zhǎng)的激發(fā)條件下將會(huì)發(fā)出不同能量的光子，也就是不同顏色的光。因此，通過一定的方式來調(diào)整量子點(diǎn)的尺寸和化學(xué)組成可以使其發(fā)射光譜覆蓋整個(gè)可見光區(qū)，甚至是近紅外區(qū)。目前，量子點(diǎn)器件的典型結(jié)構(gòu)是“三明治”結(jié)構(gòu)，主要由ITO玻璃基板，空穴注入層(HIL)，空穴傳輸層(HTL)，量子點(diǎn)發(fā)光層，電子傳輸層(ETL)，電極組成。

目前，制約量子點(diǎn)發(fā)光器件發(fā)展最根本的原因在于空穴和電子向量子點(diǎn)發(fā)光層注入未得到平衡，電子和空穴沒有在量子點(diǎn)發(fā)光層中得到有效復(fù)合。高效率長(zhǎng)壽命的量子點(diǎn)發(fā)光器件依賴于空穴電子在發(fā)光層的平衡注入，這就要求各功能層材料的能級(jí)匹配。常規(guī)空穴傳輸層價(jià)帶與量子點(diǎn)發(fā)光層價(jià)帶的能級(jí)差約0.6ev，而電子傳輸層導(dǎo)帶與量子點(diǎn)發(fā)光層導(dǎo)帶幾乎擁有相同能極，幾乎不存在能級(jí)差。因此，器件在工作時(shí)常常會(huì)造成電子、空穴注入不平衡，同時(shí)造成量子點(diǎn)發(fā)光層和空穴傳輸層界面間堆積大量的載留子，過多的載流子極易引發(fā)非輻射復(fù)合，甚至猝滅發(fā)光。這極大的限制了QLED器件性能的大幅度提升。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)的目的在于提供一空穴傳輸材料的修飾方法，以及一種發(fā)光器件及其制備方法，旨在一定程度上解決現(xiàn)有空穴傳輸層與量子點(diǎn)發(fā)光層之間能極差大的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述申請(qǐng)目的，本申請(qǐng)采用的技術(shù)方案如下：

第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N空穴傳輸材料的修飾方法，包括以下步驟：

獲取聚合物空穴傳輸材料；

采用酸性化合物對(duì)聚合物空穴傳輸材料進(jìn)行修飾處理，得到修飾后的空穴傳輸材料。

第二方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：

提供含有陽極的基板；

在所述陽極遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)表面沉積空穴傳輸材料，得到空穴傳輸層；

在所述空穴傳輸層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)表面沉積量子點(diǎn)材料，得到量子點(diǎn)發(fā)光層；

在所述量子點(diǎn)發(fā)光層遠(yuǎn)離所述空穴傳輸層的一側(cè)表面沉積陰極材料，得到陰極；

其中，所述空穴傳輸層靠近所述量子點(diǎn)發(fā)光層的一側(cè)含有經(jīng)酸性化合物修飾過的聚合物空穴傳輸材料。

第三方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N發(fā)光器件，包括相對(duì)設(shè)置的陽極和陰極，設(shè)置在所述陽極和所述陰極之間的量子點(diǎn)發(fā)光層，設(shè)置在所述陽極和所述量子點(diǎn)發(fā)光層之間的空穴傳輸層；所述空穴傳輸層靠近所述量子點(diǎn)發(fā)光層的一側(cè)含有經(jīng)酸性化合物修飾過的聚合物空穴傳輸材料。