[發明專利]空穴傳輸材料的修飾方法、發光器件及其制備方法

在審

• 申請號: 202010711473.8
• 申請日: 2020-07-22
• 公開（公告）號: CN113968960A
• 公開（公告）日: 2022-01-25
• 發明（設計）人: 姚振壘
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: C08G61/12
• 分類號: C08G61/12;C08F8/00;C08F126/12;C08G79/04;H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 曹柳

1.一種空穴傳輸材料的修飾方法，其特征在于，包括以下步驟：

獲取聚合物空穴傳輸材料；

采用酸性化合物對聚合物空穴傳輸材料進行修飾處理，得到修飾后的空穴傳輸材料。

2.如權利要求1所述的空穴傳輸材料的修飾方法，其特征在于，采用酸性化合物對聚合物空穴傳輸材料進行修飾處理的步驟包括：按摩爾比為(1～1.5)：1，將所述酸性化合物和所述聚合物空穴傳輸材料溶解于溶劑中進行修飾處理。

3.如權利要求1或2所述的空穴傳輸材料的修飾方法，其特征在于，所述酸性化合物選自：質子酸和/或路易斯酸；和/或，

所述聚合物空穴傳輸材料選自：TFB、PVK、TCTA、TAPC、Poly-TBP、Poly-TPD、NPB、CBP中的至少一種。

4.如權利要求3所述的空穴傳輸材料的修飾方法，其特征在于，所述質子酸選自：氯化氫、溴化氫、磷酸、乙酸中的至少一種；和/或，

所述路易斯酸選自：AlCl₃、CrCl₃中的至少一種。

5.一種發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供含有陽極的基板；

在所述陽極遠離所述基板的一側表面沉積空穴傳輸材料，得到空穴傳輸層；

在所述空穴傳輸層遠離所述基板的一側表面沉積量子點材料，得到量子點發光層；

在所述量子點發光層遠離所述空穴傳輸層的一側表面沉積陰極材料，得到陰極；

其中，所述空穴傳輸層靠近所述量子點發光層的一側含有經酸性化合物修飾過的聚合物空穴傳輸材料。

6.如權利要求5所述的發光器件的制備方法，其特征在于，在所述陽極遠離所述基板的一側表面沉積空穴傳輸材料，得到空穴傳輸層的步驟包括：

在所述陽極遠離所述基板的一側表面沉積含有酸性化合物與聚合物空穴傳輸材料的混合溶液，干燥得到經酸性化合物修飾的聚合物空穴傳輸層；

或者，

在所述陽極遠離所述基板的一側表面沉積聚合物空穴傳輸材料，干燥得到聚合物空穴傳輸層；

在所述聚合物空穴傳輸層遠離所述陽極的一側表面沉積酸性化合物溶液，干燥得到表面經酸性化合物修飾的聚合物空穴傳輸層。

7.如權利要求6所述的發光器件的制備方法，其特征在于，所述酸性化合物選自：質子酸和/或路易斯酸；和/或，

所述聚合物空穴傳輸材料選自：TFB、PVK、TCTA、TAPC、Poly-TBP、Poly-TPD、NPB、CBP中的至少一種；和/或，

所述混合溶液中，所述酸性化合物和所述聚合物空穴傳輸材料的摩爾比為(1～1.5)：1；和/或，

所述酸性化合物溶液的濃度為3×10^-5mol/L～8×10^-5mol/L；和/或，

所述酸性化合物溶液中溶劑為醇溶劑。

8.如權利要求7所述的發光器件的制備方法，其特征在于，所述質子酸選自：氯化氫、溴化氫、磷酸、乙酸中的至少一種；和/或，

所述路易斯酸選自：AlCl₃、CrCl₃中的至少一種；和/或，

所述醇溶劑選自：乙醇、丙醇、異丙醇中的至少一種。

9.一種發光器件，其特征在于，包括相對設置的陽極和陰極，設置在所述陽極和所述陰極之間的量子點發光層，設置在所述陽極和所述量子點發光層之間的空穴傳輸層；所述空穴傳輸層靠近所述量子點發光層的一側含有經酸性化合物修飾過的聚合物空穴傳輸材料。

10.如權利要求9所述的發光器件，其特征在于，所述酸性化合物選自：質子酸和/或路易斯酸；和/或，

所述聚合物空穴傳輸材料選自：TFB、PVK、TCTA、TAPC、Poly-TBP、Poly-TPD、NPB、CBP中的至少一種。