[發明專利]一種基于微波等離子體化學氣相沉積的阻隔容器

在審

• 申請號: 202010710544.2
• 申請日: 2020-07-22
• 公開（公告）號: CN112030134A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 孫耀明;彭曉華;陳壽;王鑫;李彥灼;劉曉東;江俊靈;肖艷蘋
• 申請（專利權）人: 深圳市八六三新材料技術有限責任公司
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;C23C16/511;C23C14/06;C23C14/10;C23C14/30;C23C14/35;C23C28/04
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 劉芙蓉;謝松

本發明公開了一種基于微波等離子體化學氣相沉積的阻隔容器。所述基于微波等離子體化學氣相沉積的阻隔容器的容器壁包括：透明容器壁，設置在所述透明容器壁的內壁上的納米阻隔層、設置在所述透明容器壁的外壁上的第一介質層、設置在所述第一介質層上表面的第二介質層其中，所述第二介質層的折射率低于所述第一介質層的折射率。本發明將所述納米阻隔層設置在所述透明容器內壁一側，而將第一介質層和第二介質層設置在所述透明容器外壁一側，克服了在納米阻隔層上鍍制多層介質膜致使該側膜層太厚造成的微缺陷，導致的阻隔性降低的問題；所述納米阻隔層、透明容器、第一介質層和第二介質層組成光學干涉膜，呈現出一定顏色。

技術領域

本發明涉及容器技術領域，尤其涉及一種基于微波等離子體化學氣相沉積的阻隔容器。

背景技術

目前，常用多層復合的方法制備高阻隔薄膜。EVOH(乙烯-乙烯醇共聚物)核心原材料價格較貴，且回收困難。鋁塑復合膜鍍鋁薄膜難分離，同樣存在回收困難的問題，所以迫切需求新型高阻隔易回收的材料。

而且，高阻隔容器中鍍制的膜層厚度為數百納米，容易存在應力，導致鍍層存在微缺陷，進而產生阻隔性不佳的問題。

因此，現有技術還有待于改進和發展。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種基于微波等離子體化學氣相沉積的阻隔容器，旨在解決現有阻隔容器阻隔性不佳的問題。

本發明提供一種基于微波等離子體化學氣相沉積的阻隔容器，其中，所述基于微波等離子體化學氣相沉積的阻隔容器的一端設置有開口；

所述基于微波等離子體化學氣相沉積的阻隔容器包括：透明容器壁，設置在所述透明容器壁的內壁上采用微波等離子化學氣相沉積的納米阻隔層、設置在所述透明容器壁的外壁上采用物理氣相沉積的第一介質層、設置在所述第一介質層上表面采用物理氣相沉積的第二介質層，其中，所述第二介質層的折射率低于所述第一介質層的折射率；

透明容器壁

所述納米阻隔層、透明容器壁、第一介質層和第二介質層組成光學干涉膜，呈現出顏色。

所述的基于微波等離子體化學氣相沉積的阻隔容器，其中，所述透明容器壁為聚酯(PET)透明容器壁、聚丙烯(PP)透明容器壁、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)透明容器壁中的一種。

所述的基于微波等離子體化學氣相沉積的阻隔容器，其中，所述納米阻隔層為氧化鋯(ZrO₂)納米阻隔層，氧化鈦(TiO₂)納米阻隔層，氧化鉭(Ta₂O₅)納米阻隔層中的一種。

所述的基于微波等離子體化學氣相沉積的阻隔容器，其中，所述第一介質層為氧化鋯(ZrO₂)介質層，氧化鈦(TiO₂)介質層，氧化鉭(Ta₂O₅)介質層，氧化鉿(HfO₂)介質層中的一種。

所述的基于微波等離子體化學氣相沉積的阻隔容器，其中，所述第二介質層為氧化硅(SiO₂)介質層，氟化鎂(MgF₂)介質層中的一種。

所述的基于微波等離子體化學氣相沉積的阻隔容器，其中，所述納米阻隔層的厚度為20～120nm。

所述的阻隔容器，其中，所述第一介質層的厚度為20～120nm。

所述的阻隔容器，其中，所述第二介質層的厚度為30～200nm。

所述的基于微波等離子體化學氣相沉積的阻隔容器，其中，所述微波等離子化學氣相沉積中采用的沉積溫度為90～120℃。