[發(fā)明專利]一種基于微波等離子體化學(xué)氣相沉積的阻隔容器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010710544.2
• 申請(qǐng)日: 2020-07-22
• 公開（公告）號(hào): CN112030134A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫耀明;彭曉華;陳壽;王鑫;李彥灼;劉曉東;江俊靈;肖艷蘋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市八六三新材料技術(shù)有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): C23C16/40
• 分類號(hào): C23C16/40;C23C16/511;C23C14/06;C23C14/10;C23C14/30;C23C14/35;C23C28/04
• 代理公司: 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 劉芙蓉;謝松

本發(fā)明公開了一種基于微波等離子體化學(xué)氣相沉積的阻隔容器。所述基于微波等離子體化學(xué)氣相沉積的阻隔容器的容器壁包括：透明容器壁，設(shè)置在所述透明容器壁的內(nèi)壁上的納米阻隔層、設(shè)置在所述透明容器壁的外壁上的第一介質(zhì)層、設(shè)置在所述第一介質(zhì)層上表面的第二介質(zhì)層其中，所述第二介質(zhì)層的折射率低于所述第一介質(zhì)層的折射率。本發(fā)明將所述納米阻隔層設(shè)置在所述透明容器內(nèi)壁一側(cè)，而將第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層設(shè)置在所述透明容器外壁一側(cè)，克服了在納米阻隔層上鍍制多層介質(zhì)膜致使該側(cè)膜層太厚造成的微缺陷，導(dǎo)致的阻隔性降低的問題；所述納米阻隔層、透明容器、第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層組成光學(xué)干涉膜，呈現(xiàn)出一定顏色。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及容器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于微波等離子體化學(xué)氣相沉積的阻隔容器。

背景技術(shù)

目前，常用多層復(fù)合的方法制備高阻隔薄膜。EVOH(乙烯-乙烯醇共聚物)核心原材料價(jià)格較貴，且回收困難。鋁塑復(fù)合膜鍍鋁薄膜難分離，同樣存在回收困難的問題，所以迫切需求新型高阻隔易回收的材料。

而且，高阻隔容器中鍍制的膜層厚度為數(shù)百納米，容易存在應(yīng)力，導(dǎo)致鍍層存在微缺陷，進(jìn)而產(chǎn)生阻隔性不佳的問題。

因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種基于微波等離子體化學(xué)氣相沉積的阻隔容器，旨在解決現(xiàn)有阻隔容器阻隔性不佳的問題。

本發(fā)明提供一種基于微波等離子體化學(xué)氣相沉積的阻隔容器，其中，所述基于微波等離子體化學(xué)氣相沉積的阻隔容器的一端設(shè)置有開口；

所述基于微波等離子體化學(xué)氣相沉積的阻隔容器包括：透明容器壁，設(shè)置在所述透明容器壁的內(nèi)壁上采用微波等離子化學(xué)氣相沉積的納米阻隔層、設(shè)置在所述透明容器壁的外壁上采用物理氣相沉積的第一介質(zhì)層、設(shè)置在所述第一介質(zhì)層上表面采用物理氣相沉積的第二介質(zhì)層，其中，所述第二介質(zhì)層的折射率低于所述第一介質(zhì)層的折射率；

透明容器壁

所述納米阻隔層、透明容器壁、第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層組成光學(xué)干涉膜，呈現(xiàn)出顏色。

所述的基于微波等離子體化學(xué)氣相沉積的阻隔容器，其中，所述透明容器壁為聚酯(PET)透明容器壁、聚丙烯(PP)透明容器壁、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)透明容器壁中的一種。

所述的基于微波等離子體化學(xué)氣相沉積的阻隔容器，其中，所述納米阻隔層為氧化鋯(ZrO₂)納米阻隔層，氧化鈦(TiO₂)納米阻隔層，氧化鉭(Ta₂O₅)納米阻隔層中的一種。

所述的基于微波等離子體化學(xué)氣相沉積的阻隔容器，其中，所述第一介質(zhì)層為氧化鋯(ZrO₂)介質(zhì)層，氧化鈦(TiO₂)介質(zhì)層，氧化鉭(Ta₂O₅)介質(zhì)層，氧化鉿(HfO₂)介質(zhì)層中的一種。

所述的基于微波等離子體化學(xué)氣相沉積的阻隔容器，其中，所述第二介質(zhì)層為氧化硅(SiO₂)介質(zhì)層，氟化鎂(MgF₂)介質(zhì)層中的一種。

所述的基于微波等離子體化學(xué)氣相沉積的阻隔容器，其中，所述納米阻隔層的厚度為20～120nm。

所述的阻隔容器，其中，所述第一介質(zhì)層的厚度為20～120nm。

所述的阻隔容器，其中，所述第二介質(zhì)層的厚度為30～200nm。

所述的基于微波等離子體化學(xué)氣相沉積的阻隔容器，其中，所述微波等離子化學(xué)氣相沉積中采用的沉積溫度為90～120℃。