[發明專利]一種PECVD過程中裸露金屬保護液及保護方法在審
| 申請號: | 202010699426.6 | 申請日: | 2020-07-20 |
| 公開(公告)號: | CN111910165A | 公開(公告)日: | 2020-11-10 |
| 發明(設計)人: | 馬聚沙;沈一;王志彬;沈靜曼;吳敏;潘宇;雷剛;姜德鵬;陸劍峰 | 申請(專利權)人: | 上??臻g電源研究所 |
| 主分類號: | C23C16/04 | 分類號: | C23C16/04;C23C16/50;C09D183/04;C09D7/61;C09D7/63 |
| 代理公司: | 中國航天科技專利中心 11009 | 代理人: | 王永芳 |
| 地址: | 200245 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 pecvd 過程 裸露 金屬 保護 方法 | ||
本發明提供了一種PECVD過程中裸露金屬保護液及保護方法,在鍍膜前將低質損易剝除硅橡膠保護液涂敷于工件裸露金屬表面,待硅橡膠固化形成保護層后對工件進行鍍膜操作,鍍膜結束后剝除硅橡膠薄膜。低質損易剝除硅橡膠保護液包括100質量份的α,ω?二羥基聚二甲基硅氧烷,5~20質量份地白炭黑,1~5質量份的正硅酸乙酯,0.1~1質量份的二月桂酸二丁基錫。固化后的硅橡膠保護層兼具高真空環境下低質量損失率,成膜平整無氣泡以及剝離強度較低易剝除的特點。本發明中保護液和保護方法能夠在鍍膜過程中對工件裸露金屬部分進行暫時性保護,在去除保護膜后,金屬表面無污染物,表面粗糙度及電阻率均未變化,滿足焊接、膠接等后續操作的要求。
技術領域
本發明屬于等離子體化學氣相沉積技術領域,特別涉及一種等離子體化學氣相沉積(PECVD)過程中裸露金屬保護液及保護方法。
背景技術
目前航天飛行器所用的太陽電池翼直接暴露在惡劣的空間環境,為提高其整體空間環境耐受性延長其使用壽命,通常需要在各部組件產品表面鍍膜。
PECVD技術自研發以來已在超大規模集成電路、光電器件等領域得到了廣泛的應用,由于其具有沉積速率快,成膜質量好等優點,近年來也被用于太陽電池翼空間防護膜的鍍制。太陽電池翼的裝配接口如焊盤無需鍍膜,通過掩模板覆蓋裝配接口使其經PECVD過程后仍然保持裸露(即裸露金屬)。
太陽電池翼的各部組件在鍍膜完成后進行高可靠的精密裝配,需要保證裸露金屬裝配界面的一致性,以適應后續高頻振動、大范圍溫度沖擊等惡劣工況,這就要求裸露金屬在鍍膜前后表面粗造度與表面電阻率均保持不變,而目前在氣相沉積中常用的掩模板無法100%的防止氣體在金屬表面的沉積。
因而,亟需研發一種PECVD過程中裸露金屬保護方案,在PECVD過程中對裸露金屬表面進行暫時性保護,保持裸露金屬表面的粗造度及表面電阻率不變,且保護與去保護過程操作簡單,易于實現。
發明內容
為了克服現有技術中的不足,本發明人進行了銳意研究,提供了一種PECVD過程中裸露金屬保護液及保護方法,通過制備低質損易剝除硅橡膠保護液,在裸露金屬表面固化成膜,能夠在PECVD過程中對裸露金屬表面進行暫時性保護,該方法保護與去保護過程操作簡單,保護措施到位,表面無污染,不影響后續裝配,從而完成本發明。
本發明提供了的技術方案如下:
第一方面,一種PECVD過程中裸露金屬保護方法,包括:
步驟1,制備硅橡膠保護液,其中,硅橡膠保護液中的母膠為α,ω-二羥基聚二甲基硅氧烷;
步驟2,采用硅橡膠保護液在工件裸露金屬表面制作保護膜,待保護膜固化后將工件放入等離子體化學氣相沉積設備進行鍍膜;
步驟3,在完成等離子體化學氣相沉積后去除保護膜。
第二方面,一種PECVD過程中裸露金屬保護液,該保護液為硅橡膠保護液,包括如下質量配比的原料組分:
優選地,α,ω-二羥基聚二甲基硅氧烷在用于制備硅橡膠保護液前,經分子精餾去除分子量500以下的低聚物。
根據本發明提供的一種PECVD過程中裸露金屬保護液及保護方法,具有以下有益效果:
(1)本發明提供的保護液為硅橡膠保護液,通過選用特定用量的特定原料組分,且母膠在用于制備硅橡膠保護液前經分子精餾去除分子量500以下的低聚物,使硅橡膠保護液具有低質損易剝除的特點,保證PECVD鍍膜質量,去保護簡單;
(2)采用本發明中保護液和保護方法,能夠在鍍膜過程中對工件裸露金屬部分進行暫時性保護,操作簡單,在去除保護膜后,金屬表面無污染物,表面粗糙度及電阻率均未變化,保護措施到位,滿足焊接、膠接等后續操作的要求;
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





