[發明專利]一種PECVD過程中裸露金屬保護液及保護方法

在審

• 申請號: 202010699426.6
• 申請日: 2020-07-20
• 公開（公告）號: CN111910165A
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: 馬聚沙;沈一;王志彬;沈靜曼;吳敏;潘宇;雷剛;姜德鵬;陸劍峰
• 申請（專利權）人: 上海空間電源研究所
• 主分類號: C23C16/04
• 分類號: C23C16/04;C23C16/50;C09D183/04;C09D7/61;C09D7/63
• 代理公司: 中國航天科技專利中心 11009
• 代理人: 王永芳

1.一種PECVD過程中裸露金屬保護方法，其特征在于，包括：

步驟1，制備硅橡膠保護液，其中，硅橡膠保護液中的母膠為α,ω-二羥基聚二甲基硅氧烷；

步驟2，采用硅橡膠保護液在工件裸露金屬表面制作保護膜，待保護膜固化后將工件放入等離子體化學氣相沉積設備進行鍍膜；

步驟3，在完成等離子體化學氣相沉積后去除保護膜。

2.根據權利要求1所述的PECVD過程中裸露金屬保護方法，其特征在于，步驟1中，硅橡膠保護液的原料組分還包括白炭黑、正硅酸乙酯以及二月桂酸二丁基錫。

3.根據權利要求2所述的PECVD過程中裸露金屬保護方法，其特征在于，基于100質量份的α,ω-二羥基聚二甲基硅氧烷，白炭黑5～20質量份，正硅酸乙酯1～5質量份，二月桂酸二丁基錫0.1～1質量份。

4.根據權利要求3所述的PECVD過程中裸露金屬保護方法，其特征在于，基于100質量份的α,ω-二羥基聚二甲基硅氧烷，白炭黑15～20質量份，正硅酸乙酯3～4質量份，二月桂酸二丁基錫0.5～1質量份。

5.根據權利要求4所述的PECVD過程中裸露金屬保護方法，其特征在于，基于100質量份的α,ω-二羥基聚二甲基硅氧烷，白炭黑15質量份，正硅酸乙酯4質量份，二月桂酸二丁基錫1質量份；和/或基于100質量份的α,ω-二羥基聚二甲基硅氧烷，白炭黑20質量份，正硅酸乙酯3質量份，二月桂酸二丁基錫1質量份。

6.根據權利要求1所述的PECVD過程中裸露金屬保護方法，其特征在于，步驟1中，α,ω-二羥基聚二甲基硅氧烷在用于制備硅橡膠保護液前，需經分子精餾去除分子量500以下的低聚物。

7.根據權利要求1所述的PECVD過程中裸露金屬保護方法，其特征在于，步驟1中，硅橡膠保護液固化后在高真空下的總質量損失率小于1％，剝離強度小于0.05N/mm。

8.根據權利要求1所述的PECVD過程中裸露金屬保護方法，其特征在于，步驟2中，硅橡膠保護液適用的裸露金屬包括金、鍺、鎳、銀、銅及上述金屬組合形成的合金。

9.根據權利要求1所述的PECVD過程中裸露金屬保護方法，其特征在于，步驟2中，保護膜固化方式為常溫常壓固化；和/或

固化后的保護膜厚度為10μm～200μm；和/或

鍍膜前，等離子體化學氣相沉積設備中抽真空至小于10^-3Pa，保壓大于24h后再進行鍍膜。

10.一種PECVD過程中裸露金屬保護液，其特征在于，該保護液為硅橡膠保護液，包括如下質量配比的原料組分：

優選α,ω-二羥基聚二甲基硅氧烷在用于制備硅橡膠保護液前，經分子精餾去除分子量500以下的低聚物。