[發(fā)明專利]一種SONOS存儲器及其制造方法

有效

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• 申請日: 2020-07-20
• 公開（公告）號: CN111799164B
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發(fā)明（設計）人: 唐小亮;辻直樹;陳昊瑜;邵華
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L27/11521;H01L27/11568;H01L29/423
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 徐偉

1.一種SONOS存儲器的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底上形成有所述SONOS存儲器的第一晶體管柵極和用以形成第二晶體管柵極的第一層，所述第一層覆蓋所述第一晶體管柵極和所述襯底；

在所述第一層的上表面形成圖案化的第二層，所述第二層暴露對應第二晶體管柵極外側的第一層；

對被所述第二層暴露的第一層進行第一刻蝕；

去除所述第二層，以重新暴露所述第一層；以及

對所述第一層進行第二刻蝕，以形成所述第二晶體管柵極；其中

形成所述第二層進一步包括：

在所述對應第二晶體管柵極外側的第一層的上表面形成阻擋層；

在未形成所述阻擋層的第一層的上表面形成所述第二層；以及

去除所述阻擋層；

對被所述第二層暴露的第一層進行第一刻蝕進一步包括：

部分刻蝕被所述第二層暴露的第一層，以定義垂直的第二晶體管柵極外側；

對所述第一層進行第二刻蝕進一步包括：

一并刻蝕在所述第一刻蝕中未刻蝕的被所述第二層暴露的第一層，以形成垂直的第二晶體管柵極外側。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述阻擋層進一步包括：

形成覆蓋所述第一層的第三層；以及

對所述第三層進行刻蝕，保留對應所述第二晶體管柵極外側的第三層為所述阻擋層。

3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述阻擋層為氮化硅，所述第一層為多晶硅，所述在未形成所述阻擋層的第一層的上表面形成所述第二層進一步包括：

以所述阻擋層為阻擋，在未形成所述阻擋層的第一層區(qū)域進行氧化，以形成氧化硅材質的第二層。

4.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于，去除所述阻擋層進一步包括：

采用具有高選擇比的試劑濕法去除所述阻擋層。

5.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，對被所述第二層暴露的第一層進行第一刻蝕進一步包括：

完全刻蝕被所述第二層暴露的第一層，以形成垂直的第二晶體管柵極外側。

6.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一晶體管柵極與所述第一層之間還形成有隔離層，所形成的所述第二晶體管柵極通過所述隔離層緊鄰所述第一晶體管柵極。

7.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述襯底上形成有多個SONOS存儲器的第一晶體管柵極，所述第一層覆蓋多個第一晶體管柵極，所述第二層暴露對應多個第二晶體管柵極外側的第一層；其中

對所述第一層進行所述第一刻蝕和所述第二刻蝕進一步包括：

同步地形成多個第二晶體管柵極。

8.如權利要求7所述的制造方法，其特征在于，相鄰的兩個SONOS存儲器的第一晶體管柵極和第二晶體管柵極對稱設置。

9.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法還包括：

在所述第一晶體管柵極和所述第二晶體管柵極的外側形成側墻。

10.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一晶體管為存儲管，所述第二晶體管為選擇管；或者

所述第一晶體管為選擇管，所述第二晶體管為存儲管。

11.一種SONOS存儲器，其特征在于，所述SONOS存儲器由如權利要求1-10中任意一項所述的制造方法形成。