[發明專利]顯示裝置

在審

• 申請號: 202010698674.9
• 申請日: 2020-07-20
• 公開（公告）號: CN112242428A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發明（設計）人: 樸晙皙;文然建;金明花;金兌相;金亨俊;樸根徹;孫尙佑;林俊亨;全景辰;崔惠臨
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 田野;韓芳

1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

基底，包括顯示區域和墊區域；

第一導電層，位于所述基底上，所述第一導電層包括在所述顯示區域中的柵電極和在所述墊區域中的墊電極；

緩沖層，位于所述第一導電層上，所述緩沖層覆蓋所述柵電極并且暴露所述墊電極的部分；

第一半導體層，位于所述緩沖層上并且包括氧化物半導體，所述第一半導體層包括在所述顯示區域中的第一有源層和第二有源層；

第二導電層，位于所述第一半導體層上，所述第二導電層包括在所述顯示區域中的源電極和漏電極；

第一保護層，位于所述第二導電層上，所述第一保護層覆蓋所述源電極和所述漏電極并且暴露所述墊電極的部分；

第二半導體層，位于所述第一保護層上并且包括氧化物半導體，所述第二半導體層包括在所述顯示區域中的至少一個氧化物層；

第一平坦化層，位于所述第二半導體層上；以及

第三導電層，位于所述第一平坦化層上，所述第三導電層包括通過穿透所述第一平坦化層和所述第一保護層的接觸孔電連接到所述源電極中的一個的第一電極，

其中，所述第二半導體層的所述至少一個氧化物層位于從所述第一有源層和所述第二有源層中選擇的至少一個上方。

2.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一半導體層和所述第二半導體層的所述氧化物半導體包括選自由銦、鎵、鋅、錫和鉿組成的組中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第二導電層包括：

第一源電極，位于所述第一有源層的第一側處；

第一漏電極，位于所述第一有源層的第二側處；

第二源電極，位于所述第二有源層的第一側處；以及

第二漏電極，位于所述第二有源層的第二側處。

4.根據權利要求3所述的顯示裝置，其中，所述第一源電極的一側與所述第一有源層的一側對齊，并且

所述第一漏電極的一側與所述第一有源層的另一側對齊，并且

其中，所述第一源電極的另一側和所述第一漏電極的另一側位于所述第一有源層上。

5.根據權利要求3所述的顯示裝置，其中，所述第二源電極的一側位于所述緩沖層上，并且

所述第二漏電極的一側位于所述緩沖層上，并且

其中，所述第二源電極的另一側和所述第二漏電極的另一側位于所述第二有源層上。

6.根據權利要求3所述的顯示裝置，其中，所述第一保護層包括多個凹槽，所述第一保護層的上表面的部分凹陷在所述多個凹槽中，并且

其中，所述多個凹槽包括在所述第一源電極與所述第一漏電極之間的第一凹槽以及在所述第二源電極與所述第二漏電極之間的第二凹槽。

7.根據權利要求6所述的顯示裝置，其中，所述第二半導體層的所述氧化物層通過穿透所述第一保護層并穿透所述緩沖層以暴露所述柵電極的上表面的部分的接觸孔與所述柵電極接觸。

8.根據權利要求6所述的顯示裝置，其中，所述氧化物層包括在所述第一有源層上方的第一氧化物層。

9.根據權利要求8所述的顯示裝置，其中，所述第一凹槽在厚度方向上與所述第一有源層疊置，并且

其中，所述第一氧化物層位于所述第一凹槽中。

10.根據權利要求6所述的顯示裝置，其中，所述第二凹槽在厚度方向上與所述第二有源層疊置，并且

其中，所述氧化物層包括在所述第二有源層上方的所述第二凹槽中的第二氧化物層。

11.根據權利要求6所述的顯示裝置，其中，所述第一保護層包括：第一接觸孔，穿透所述第一保護層，以暴露所述第一源電極的上表面的部分，以及

第二接觸孔，穿透所述第一保護層，以暴露所述第一漏電極的上表面的部分。