[發(fā)明專利]顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010698674.9 | 申請(qǐng)日: | 2020-07-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112242428A | 公開(公告)日: | 2021-01-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 樸晙皙;文然建;金明花;金兌相;金亨俊;樸根徹;孫尙佑;林俊亨;全景辰;崔惠臨 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 田野;韓芳 |
| 地址: | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 | ||
提供了一種顯示裝置。所述顯示裝置包括連接到掃描線和與掃描線相交的數(shù)據(jù)線的像素,其中,像素中的每個(gè)包括:發(fā)光元件;驅(qū)動(dòng)晶體管,根據(jù)從數(shù)據(jù)線施加的數(shù)據(jù)電壓來控制供應(yīng)到發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電流;以及開關(guān)晶體管,根據(jù)從掃描線施加的掃描信號(hào)將數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓施加到驅(qū)動(dòng)晶體管。驅(qū)動(dòng)晶體管包括具有氧化物半導(dǎo)體的第一有源層和在第一有源層下方的第一柵電極。開關(guān)晶體管包括具有與第一有源層的氧化物半導(dǎo)體相同的氧化物半導(dǎo)體的第二有源層和在第二有源層下方的第二柵電極。驅(qū)動(dòng)晶體管和開關(guān)晶體管中的至少一個(gè)包括在有源層中的每個(gè)上方的氧化物層。
本申請(qǐng)要求于2019年7月19日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2019-0087678號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益,該韓國(guó)專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過引用包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開的實(shí)施例涉及一種顯示裝置及一種制造該顯示裝置的方法,并且例如,涉及一種包括包含氧化物層的薄膜晶體管的顯示裝置。
背景技術(shù)
隨著多媒體技術(shù)的發(fā)展,顯示裝置已經(jīng)變得越來越重要。因此,目前正使用各種類型的顯示裝置,諸如有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置和液晶顯示(LCD)裝置。
顯示裝置用于顯示圖像,并且包括諸如有機(jī)發(fā)光顯示面板或液晶顯示面板的顯示面板。在它們之中,發(fā)光顯示面板可以包括發(fā)光元件。例如,發(fā)光二極管(LED)可以包括使用有機(jī)材料作為熒光材料的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)和使用無(wú)機(jī)材料作為熒光材料的無(wú)機(jī)發(fā)光二極管。
這樣的顯示裝置包括顯示面板、柵極驅(qū)動(dòng)器、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器和時(shí)序控制器。顯示面板包括數(shù)據(jù)線、柵極線以及形成在數(shù)據(jù)線和柵極線的相交處的像素。當(dāng)使用薄膜晶體管作為開關(guān)元件將柵極信號(hào)供應(yīng)到柵極線時(shí),像素中的每個(gè)接收來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓。像素中的每個(gè)根據(jù)數(shù)據(jù)電壓發(fā)射具有設(shè)定的(例如,預(yù)定的)亮度的光。
已經(jīng)發(fā)布了能夠以超高清晰度(UHD)的高分辨率顯示圖像的顯示裝置。最近正開發(fā)能夠以8K超高清晰度(UHD)的高分辨率顯示圖像的顯示裝置。UHD指3840×2160分辨率,8K UHD指7680×4320分辨率。
在高分辨率顯示裝置中,像素的數(shù)量增加,因此會(huì)減小像素中的每個(gè)的驅(qū)動(dòng)電流。結(jié)果,會(huì)減小像素中的每個(gè)的驅(qū)動(dòng)晶體管的驅(qū)動(dòng)電壓范圍。
發(fā)明內(nèi)容
本公開提供了一種包括驅(qū)動(dòng)晶體管和開關(guān)晶體管的顯示裝置,驅(qū)動(dòng)晶體管和開關(guān)晶體管包括具有氧化物半導(dǎo)體的有源層和氧化物層。
應(yīng)該注意的是,本公開的目的不限于上面提到的目的,并且通過以下描述,本公開的其它目的對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是明顯的。
根據(jù)一些實(shí)施例,顯示裝置可以包括均具有在有源層下方的柵電極的驅(qū)動(dòng)晶體管和開關(guān)晶體管,并且它們中的至少一個(gè)可以包括在有源層上方的作為氧供應(yīng)層的氧化物層。當(dāng)開關(guān)晶體管包括氧化物層時(shí),可以改善顯示裝置的器件特性和可靠性。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管包括氧化物層時(shí),可以實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電壓的寬范圍。
應(yīng)該注意的是,本公開的方面和/或效果不限于上面描述的方面和/或效果,并且通過以下描述,本公開的其它方面和/或效果對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是明顯的。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





