[發明專利]冷卻單元和包括該冷卻單元的基板處理裝置在審
| 申請號: | 202010697608.X | 申請日: | 2020-07-20 |
| 公開(公告)號: | CN112242327A | 公開(公告)日: | 2021-01-19 |
| 發明(設計)人: | 方濟午 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市中倫律師事務所 11410 | 代理人: | 楊黎峰;王麗 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 冷卻 單元 包括 處理 裝置 | ||
一種用于冷卻基板的冷卻單元,包括:板,在該板中形成有流體通道;以及流體供應構件,該流體供應構件將流體供應到流體通道中。所述流體通道包括多個第一流體通道,該多個第一流體通道中的每個在其一端與流體供應構件連接;和第二流體通道,該第二流體通道與多個第一流體通道的相反端連接并排放流體。在板的內部形成有緩沖空間,該緩沖空間將多個第一流體通道的相反端與第二流體通道的一端連接。
技術領域
本文描述的本發明構思的實施方式涉及一種冷卻單元和包括該冷卻單元的基板處理裝置。
背景技術
通常,執行諸如清潔、沉積、光刻、蝕刻、離子注入等的各種工藝以制造半導體元件。用于形成圖案的光刻工藝在實現半導體元件的高密度集成中起到重要作用。
執行光刻工藝以在基板上形成圖案。在光刻工藝中,依次執行涂覆過程、曝光過程和顯影過程,并且每個過程包括多個基板處理步驟。在執行基板處理步驟中的一個之后,將基板臨時儲存以用于下一步驟。由于處理后的基板通常保持高溫狀態,因此在暫時儲存基板的同時進行冷卻基板的過程。因此,用于對基板執行光刻工藝的基板處理裝置通常包括冷卻板,該冷卻板用于在臨時儲存基板的同時冷卻基板。
圖1是示出一般冷卻板的立體圖。參考圖1,冷卻板5000通常具有形成在其中的冷卻管線5100,冷卻流體在冷卻管線5100中流動。冷卻管線5100的一端與用于供應冷卻流體的供應管線5202連接。供應管線5202與制冷劑供應源5200連接。冷卻管線5100的相反端與排放管線5204連接。制冷劑供應源5200將冷卻流體供應到冷卻管線5100中。被供應到冷卻管線5100中的冷卻流體流過冷卻管線5100,并通過排放管線5204被排出到外部。
當冷卻流體沿著冷卻管線5100流動時,冷卻流體的冷量(cold heat)降低了冷卻板5000的溫度。冷卻板5000與放置在冷卻板5100上的基板進行換熱。然而,在冷卻管線5100中流動的冷卻流體的溫度根據冷卻管線5100的區域而彼此不同。例如,在冷卻管線的與供應管線5202連接的一端處的冷卻流體的溫度與在冷卻管線5100的與排放管線5204連接的相反端處的冷卻流體的溫度不同。因此,可能無法均勻地冷卻基板。
發明內容
本發明構思的實施方式提供了一種用于有效地處理基板的冷卻單元以及包括該冷卻單元的基板處理裝置。
此外,本發明構思的實施方式提供了一種用于有效地冷卻基板的冷卻單元以及包括該冷卻單元的基板處理裝置。
此外,本發明構思的實施方式提供了一種用于均勻地冷卻基板的冷卻單元以及包括該冷卻單元的基板處理裝置。
此外,本發明構思的實施方式提供了一種冷卻單元以及包括該冷卻單元的基板處理裝置,該冷卻單元用于當溫度調節流體從溫度調節板排放時使溫度調節流體在流體通道中的停滯最小化。
本發明構思要解決的技術問題不限于上述問題,并且本發明構思所屬領域的技術人員根據以下描述將清楚地理解本文中未提及的任何其它技術問題。
根據示例性實施方式,一種基板處理裝置包括:轉位模塊,所述轉位模塊包括裝載口,在所述裝載口上放置其中容納有基板的載體;以及處理模塊,所述處理模塊處理從所述轉位模塊傳送的所述基板。處理模塊包括:處理室,所述處理室處理所述基板;和緩沖室,所述緩沖室臨時儲存所述基板。緩沖室包括:殼體,在所述殼體中具有空間;和冷卻單元,所述冷卻單元在所述空間中冷卻所述基板。冷卻單元包括:溫度調節板,在所述溫度調節板中形成有流體通道;和流體供應構件,所述流體供應構件將溫度調節流體供應到所述流體通道中。流體通道包括:多個第一流體通道,所述多個第一流體通道中的每個在其一端與所述流體供應構件連接;和第二流體通道,所述第二流體通道與所述多個第一流體通道的相反端連接,并且排放所述溫度調節流體。在所述溫度調節板的內部形成有緩沖空間,所述緩沖空間將所述多個第一流體通道的所述相反端與所述第二流體通道的一端連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





