[發(fā)明專利]冷卻單元和包括該冷卻單元的基板處理裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010697608.X | 申請(qǐng)日： | 2020-07-20 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN112242327A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-01-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 方濟(jì)午 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 細(xì)美事有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/67 | 分類號(hào)： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市中倫律師事務(wù)所 11410 | 代理人： | 楊黎峰;王麗 |
| 地址： | 韓國(guó)忠*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 冷卻 單元 包括 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置，所述基板處理裝置包括：
轉(zhuǎn)位模塊，所述轉(zhuǎn)位模塊包括裝載口，在所述裝載口上放置其中容納有基板的載體；和
處理模塊，所述處理模塊被配置為處理從所述轉(zhuǎn)位模塊傳送的所述基板，
其中所述處理模塊包括：
處理室，所述處理室被配置為處理所述基板；和
緩沖室，所述緩沖室被配置為臨時(shí)儲(chǔ)存所述基板；
其中所述緩沖室包括：
殼體，在所述殼體中具有空間；和
冷卻單元，所述冷卻單元被配置為在所述空間中冷卻所述基板，
其中所述冷卻單元包括：
溫度調(diào)節(jié)板，在所述溫度調(diào)節(jié)板中形成有流體通道；和
流體供應(yīng)構(gòu)件，所述流體供應(yīng)構(gòu)件被配置為將溫度調(diào)節(jié)流體供應(yīng)到所述流體通道中，
其中所述流體通道包括：
多個(gè)第一流體通道，所述多個(gè)第一流體通道中的每個(gè)在其一端與所述流體供應(yīng)構(gòu)件連接；和
第二流體通道，所述第二流體通道與所述多個(gè)第一流體通道的相反端連接，并且被配置為排放所述溫度調(diào)節(jié)流體，并且
其中，在所述溫度調(diào)節(jié)板的內(nèi)部形成有緩沖空間，所述緩沖空間被配置為將所述多個(gè)第一流體通道的所述相反端與所述第二流體通道的一端連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述緩沖空間的直徑大于所述多個(gè)第一流體通道的直徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述緩沖空間的直徑大于所述第二流體通道的直徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述多個(gè)第一流體通道的所述相反端與所述緩沖空間連接，并且
其中，所述第二流體通道的所述一端與所述緩沖空間連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，當(dāng)俯視時(shí)，所述緩沖空間形成在所述溫度調(diào)節(jié)板的中心區(qū)域中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，當(dāng)在所述溫度調(diào)節(jié)板的豎直截面中觀察時(shí)，所述多個(gè)第一流體通道形成在所述第二流體通道上方的區(qū)域中。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，當(dāng)在所述溫度調(diào)節(jié)板的所述豎直截面中觀察時(shí)，所述緩沖空間形成在所述多個(gè)第一流體通道和所述第二流體通道之間的區(qū)域中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述溫度調(diào)節(jié)板包括：
第一板；和
第二板，所述第二板設(shè)置于所述第一板下方，
其中，在所述第一板的內(nèi)部形成所述多個(gè)第一流體通道，并且
其中，在所述第二板的內(nèi)部形成所述第二流體通道。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中，所述緩沖空間形成在所述第一板的內(nèi)部。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述溫度調(diào)節(jié)板由包含鋁、銅或碳基復(fù)合材料的材料形成。
11.一種用于冷卻基板的冷卻單元，所述冷卻單元包括：
板，在所述板中形成有流體通道；和
流體供應(yīng)構(gòu)件，所述流體供應(yīng)構(gòu)件被配置為將流體供應(yīng)到所述流體通道中，
其中所述流體通道包括：
多個(gè)第一流體通道，所述多個(gè)第一流體通道中的每個(gè)在其一端與所述流體供應(yīng)構(gòu)件連接；和
第二流體通道，所述第二流體通道與所述多個(gè)第一流體通道的相反端連接，并且被配置為排放所述流體，并且
其中，在所述板的內(nèi)部形成有緩沖空間，所述緩沖空間被配置為將所述多個(gè)第一流體通道的所述相反端與所述第二流體通道的一端連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的冷卻單元，其中，所述緩沖空間的直徑大于所述多個(gè)第一流體通道和所述第二流體通道的直徑。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
