[發明專利]冷卻單元和包括該冷卻單元的基板處理裝置在審
| 申請號: | 202010697608.X | 申請日: | 2020-07-20 |
| 公開(公告)號: | CN112242327A | 公開(公告)日: | 2021-01-19 |
| 發明(設計)人: | 方濟午 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市中倫律師事務所 11410 | 代理人: | 楊黎峰;王麗 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 冷卻 單元 包括 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,所述基板處理裝置包括:
轉位模塊,所述轉位模塊包括裝載口,在所述裝載口上放置其中容納有基板的載體;和
處理模塊,所述處理模塊被配置為處理從所述轉位模塊傳送的所述基板,
其中所述處理模塊包括:
處理室,所述處理室被配置為處理所述基板;和
緩沖室,所述緩沖室被配置為臨時儲存所述基板;
其中所述緩沖室包括:
殼體,在所述殼體中具有空間;和
冷卻單元,所述冷卻單元被配置為在所述空間中冷卻所述基板,
其中所述冷卻單元包括:
溫度調節板,在所述溫度調節板中形成有流體通道;和
流體供應構件,所述流體供應構件被配置為將溫度調節流體供應到所述流體通道中,
其中所述流體通道包括:
多個第一流體通道,所述多個第一流體通道中的每個在其一端與所述流體供應構件連接;和
第二流體通道,所述第二流體通道與所述多個第一流體通道的相反端連接,并且被配置為排放所述溫度調節流體,并且
其中,在所述溫度調節板的內部形成有緩沖空間,所述緩沖空間被配置為將所述多個第一流體通道的所述相反端與所述第二流體通道的一端連接。
2.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述緩沖空間的直徑大于所述多個第一流體通道的直徑。
3.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述緩沖空間的直徑大于所述第二流體通道的直徑。
4.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述多個第一流體通道的所述相反端與所述緩沖空間連接,并且
其中,所述第二流體通道的所述一端與所述緩沖空間連接。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的裝置,其中,當俯視時,所述緩沖空間形成在所述溫度調節板的中心區域中。
6.根據權利要求1至4中任一項所述的裝置,其中,當在所述溫度調節板的豎直截面中觀察時,所述多個第一流體通道形成在所述第二流體通道上方的區域中。
7.根據權利要求6所述的裝置,其中,當在所述溫度調節板的所述豎直截面中觀察時,所述緩沖空間形成在所述多個第一流體通道和所述第二流體通道之間的區域中。
8.根據權利要求1至4中任一項所述的裝置,其中,所述溫度調節板包括:
第一板;和
第二板,所述第二板設置于所述第一板下方,
其中,在所述第一板的內部形成所述多個第一流體通道,并且
其中,在所述第二板的內部形成所述第二流體通道。
9.根據權利要求8所述的裝置,其中,所述緩沖空間形成在所述第一板的內部。
10.根據權利要求1至4中任一項所述的裝置,其中,所述溫度調節板由包含鋁、銅或碳基復合材料的材料形成。
11.一種用于冷卻基板的冷卻單元,所述冷卻單元包括:
板,在所述板中形成有流體通道;和
流體供應構件,所述流體供應構件被配置為將流體供應到所述流體通道中,
其中所述流體通道包括:
多個第一流體通道,所述多個第一流體通道中的每個在其一端與所述流體供應構件連接;和
第二流體通道,所述第二流體通道與所述多個第一流體通道的相反端連接,并且被配置為排放所述流體,并且
其中,在所述板的內部形成有緩沖空間,所述緩沖空間被配置為將所述多個第一流體通道的所述相反端與所述第二流體通道的一端連接。
12.根據權利要求11所述的冷卻單元,其中,所述緩沖空間的直徑大于所述多個第一流體通道和所述第二流體通道的直徑。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于細美事有限公司,未經細美事有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010697608.X/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:用于處理基板的設備和方法
- 下一篇:基板處理裝置和旋轉組件
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





