[發(fā)明專利]用于處理基板的設(shè)備和方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010697607.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-07-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112242326A | 公開(公告)日: | 2021-01-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李成龍;徐同赫 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 細(xì)美事有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;G03F7/38;G03F7/40 |
| 代理公司: | 北京市中倫律師事務(wù)所 11410 | 代理人: | 鐘錦舜;姜香丹 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 處理 設(shè)備 方法 | ||
1.一種用于處理基板的設(shè)備,所述設(shè)備包括:
殼體,所述殼體中具有處理空間;
加熱板,被配置為在所述處理空間中支撐所述基板,所述加熱板在內(nèi)部具有多個(gè)加熱構(gòu)件;以及
溫度控制單元,被配置為控制所述多個(gè)加熱構(gòu)件以加熱支撐在所述加熱板上的所述基板,其中,所述溫度控制單元使用具有不同的控制周期的多個(gè)控制信號(hào)來控制所述多個(gè)加熱構(gòu)件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中,所述加熱板包括中心區(qū)域和圍繞所述中心區(qū)域的邊緣區(qū)域,
其中,所述多個(gè)加熱構(gòu)件包括設(shè)置在所述中心區(qū)域中的第一加熱構(gòu)件和設(shè)置在所述邊緣區(qū)域中的第二加熱構(gòu)件,并且
其中所述溫度控制單元包括:
第一控制器,被配置為控制所述第一加熱構(gòu)件;以及
第二控制器,被配置為控制所述第二加熱構(gòu)件,所述第二控制器具有與所述第一控制器的控制周期不同的控制周期。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備,其中,所述第一控制器的控制周期短于所述第二控制器的控制周期。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備,其中,所述溫度控制單元還包括溫度測量構(gòu)件,所述溫度測量構(gòu)件被配置為測量所述加熱板的各個(gè)區(qū)域的溫度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備,其中,所述溫度控制單元還包括:
電源,被配置為向所述多個(gè)加熱構(gòu)件供電;以及
開關(guān)構(gòu)件,被配置為基于由所述溫度測量構(gòu)件測量的所述溫度來控制所述電源與所述第一控制器及所述第二控制器之間的連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備,其中,設(shè)置所述第一控制器和所述第二控制器,使得所述第一控制器和所述第二控制器的控制周期是可變的。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備,其中,在由所述溫度測量構(gòu)件測量的溫度變化超過預(yù)設(shè)范圍的動(dòng)態(tài)區(qū)間中,將所述第一控制器和所述第二控制器的所述控制周期改變?yōu)楦獭?/p>
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備,其中,在由所述溫度測量構(gòu)件測量的溫度變化低于預(yù)設(shè)范圍的靜態(tài)區(qū)間中,將所述第一控制器和所述第二控制器的所述控制周期改變?yōu)楦L。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中,所述加熱板包括中心區(qū)域、圍繞所述中心區(qū)域的邊緣區(qū)域以及位于所述中心區(qū)域與所述邊緣區(qū)域之間的中間區(qū)域,
其中,所述多個(gè)加熱構(gòu)件包括設(shè)置在所述中心區(qū)域中的第三加熱構(gòu)件、設(shè)置在所述中間區(qū)域中的第四加熱構(gòu)件以及設(shè)置在所述邊緣區(qū)域中的第五加熱構(gòu)件,
其中所述溫度控制單元包括:
第三控制器,被配置為控制所述第三加熱構(gòu)件;
第四控制器,被配置為控制所述第四加熱構(gòu)件;以及
第五控制器,被配置為控制所述第五加熱構(gòu)件,并且
其中,所述第三加熱構(gòu)件、所述第四加熱構(gòu)件和所述第五加熱構(gòu)件的控制周期彼此不同。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備,其中,所述第三控制器的控制周期短于所述第四控制器的控制周期,并且
其中,所述第四控制器的控制周期短于所述第五控制器的控制周期。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中,所述設(shè)備是被配置為執(zhí)行烘烤工藝的設(shè)備。
12.一種加熱單元,包括:
加熱板,被配置為支撐基板,所述加熱板在內(nèi)部具有多個(gè)加熱構(gòu)件;以及
溫度控制單元,被配置為控制所述多個(gè)加熱構(gòu)件以加熱支撐在所述加熱板上的所述基板,其中,所述溫度控制單元使用具有不同的控制周期的多個(gè)控制信號(hào)來控制所述多個(gè)加熱構(gòu)件。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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