[發(fā)明專利]用于處理基板的設(shè)備和方法

在審

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• 申請日: 2020-07-20
• 公開（公告）號: CN112242326A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李成龍;徐同赫
• 申請（專利權(quán)）人: 細(xì)美事有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;G03F7/38;G03F7/40
• 代理公司: 北京市中倫律師事務(wù)所 11410
• 代理人: 鐘錦舜;姜香丹

本發(fā)明提供了一種用于處理基板的設(shè)備和方法。用于處理基板的設(shè)備包括：殼體，在該殼體中具有處理空間；加熱板，其在處理空間中支撐基板并且在內(nèi)部具有多個(gè)加熱構(gòu)件；以及溫度控制單元，其控制多個(gè)加熱構(gòu)件來加熱支撐在加熱板上的基板，其中溫度控制單元使用具有不同的控制周期的多個(gè)控制信號來控制多個(gè)加熱構(gòu)件。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2019年7月19日向韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請第10-2019-0087512號的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本文描述的發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例涉及一種用于處理基板的設(shè)備和方法，并且更具體地，涉及一種用于控制基板的各個(gè)區(qū)域的溫度的基板處理設(shè)備和方法。

背景技術(shù)

執(zhí)行各種工藝，諸如光刻、蝕刻、沉積、離子注入、清潔等，以制造半導(dǎo)體元件。在這些工藝中，用于形成圖案的光刻工藝在實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體元件的高密度集成中起重要作用。

光刻工藝包括涂覆工藝、曝光工藝和顯影工藝，并且在曝光工藝之前和之后執(zhí)行烘烤工藝。烘烤工藝是在基板上進(jìn)行熱處理的工藝。當(dāng)將基板放置在加熱板上時(shí)，基板通過設(shè)置在加熱板內(nèi)部的加熱構(gòu)件進(jìn)行熱處理。

在現(xiàn)有技術(shù)中，為了有效地控制基板溫度，將加熱板劃分為多個(gè)溫度控制區(qū)域，并且針對加熱板的各個(gè)區(qū)域來控制溫度。然而，由于電阻值根據(jù)溫度控制區(qū)域的面積而變化，因此，當(dāng)基板在被裝載之后通過加熱板被加熱時(shí)，基板的各個(gè)區(qū)域的溫度變化彼此不同。即，由于取決于加熱板的溫度控制區(qū)域的面積的電阻值的變化，所以每單位面積的功率(熱能)會(huì)變化。因此，即使將相同的功率施加到每個(gè)溫度控制區(qū)域，也可能產(chǎn)生溫度差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供了一種用于以不同的控制周期來控制加熱板的區(qū)域的基板處理設(shè)備和方法。

本發(fā)明構(gòu)思要解決的技術(shù)問題不限于上述問題，并且本發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將從本說明書和附圖中清楚地理解本文中未提及的任何其他技術(shù)問題。

根據(jù)示例性實(shí)施例，一種用于處理基板的設(shè)備包括：殼體，該殼體中具有處理空間；加熱板，該加熱板在處理空間中支撐基板并且在內(nèi)部具有多個(gè)加熱構(gòu)件；以及溫度控制單元，其控制多個(gè)加熱構(gòu)件以加熱支撐在加熱板上的基板，其中溫度控制單元使用具有不同的控制周期的多個(gè)控制信號來控制多個(gè)加熱構(gòu)件。

加熱板可以包括中心區(qū)域和圍繞中心區(qū)域的邊緣區(qū)域。多個(gè)加熱構(gòu)件可以包括設(shè)置在中心區(qū)域中的第一加熱構(gòu)件和設(shè)置在邊緣區(qū)域中的第二加熱構(gòu)件。溫度控制單元可以包括控制第一加熱構(gòu)件的第一控制器和控制第二加熱構(gòu)件的第二控制器，該第二控制器具有與第一控制器的控制周期不同的控制周期。

第一控制器的控制周期可以短于第二控制器的控制周期。

溫度控制單元還可包括溫度測量構(gòu)件，其測量加熱板的各個(gè)區(qū)域的溫度。

溫度控制單元還可以包括：電源，其向所述多個(gè)加熱構(gòu)件供電；開關(guān)構(gòu)件，其基于由溫度測量構(gòu)件測量的溫度來控制電源與第一控制器及第二控制器之間的連接。

可以設(shè)置第一控制器和第二控制器，使得它們的控制周期是可變的。

在由溫度測量構(gòu)件測量的溫度變化超過預(yù)設(shè)范圍的動(dòng)態(tài)區(qū)間中，第一控制器和第二控制器的控制周期可以改變?yōu)楦獭?/p>

在由溫度測量構(gòu)件測量的溫度變化低于預(yù)設(shè)范圍的靜態(tài)區(qū)間中，第一控制器和第二控制器的控制周期可以改變?yōu)楦L。