[發明專利]一種鹽酸克倫特羅分子印跡聚鄰苯二胺修飾電極及其制備方法和應用

在審

• 申請號: 202010696268.9
• 申請日: 2020-07-20
• 公開（公告）號: CN112649483A
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發明（設計）人: 申貴雋;杜宇;丁利葳;季楊楊
• 申請（專利權）人: 大連金普新區誠澤職業培訓學校有限公司;大連誠澤檢測有限公司
• 主分類號: G01N27/30
• 分類號: G01N27/30;G01N27/48
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種鹽酸克倫特羅分子印跡聚鄰苯二胺修飾電極在測定鹽酸克侖特羅上的應用，其特征在于：所述應用方法：鹽酸克倫特羅分子印跡聚鄰苯二胺修飾電極為工作電極，Ag/AgCl為參比電極，鉑絲電極為輔助電極，其中，工作電極預先侵泡在含有樣品的溶液中，然后再將上述三個電極置于含有 K₃［Fe( CN)₆］的溶液中通過D差分脈沖伏安法（DPV）法檢測鹽酸克侖特羅的含量，

所述鹽酸克倫特羅分子印跡聚鄰苯二胺修飾電極的制備方法包括如下步驟：

①鹽酸克倫特羅分子印跡聚苯二胺修飾膜的制備：

將打磨、拋光、清洗后的玻碳電極（GCE）置于含2.5～3.0 mmol?L^-1 鄰苯二胺(OPD)與1～1.2 mmol?L^-1 CLB的乙酸緩沖溶液(pH為5.3～5.5)中，采用CV法(設置電位范圍為0～1V，掃速為50mV?s^-1)，循環掃描20圈，既可在GCE表面發生電聚合而成聚鄰苯二胺(POPD)膜，

②鹽酸克倫特羅分子印跡模板的洗脫：

將步驟①所得到的電極(CLB/POPD/GCE)浸入體積配比為1:1.5～1：3的乙腈與去離子水的混合液中浸泡15～30min，用以洗脫CLB模板。

2.根據權利要求1所述的應用，其特征在于：將制備好的分子印跡電極放入一定濃度的CLB溶液中浸泡6～8 min，使印跡膜充分吸附CLB分子，再將該電極放入4～6 mmol?L^-1 K₃[Fe(CN)₆]溶液中測定鹽酸克侖特羅的含量。