[發明專利]半導體器件形成方法及版圖結構

在審

• 申請號: 202010694331.5
• 申請日: 2020-07-17
• 公開（公告）號: CN111785683A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 孫旭軒;陳莉芬;劉宇
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L27/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種半導體器件形成方法，其特征在于，包括：

提供一半導體襯底，所述半導體襯底包括有源區和隔離區，所述隔離區的所述半導體襯底上形成有多個柵極結構；

在每個所述柵極結構的側壁上形成側墻層；

形成阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述側墻層和所述有源區的所述半導體襯底；

形成層間介質層，所述層間介質層覆蓋所述阻擋層和所述柵極結構的頂面；

形成接觸結構，所述接觸結構位于各述柵極結構側的所述層間介質層中，并且所述接觸結構的側壁與覆蓋所述側墻層的阻擋層存在間隔。

2.如權利要求1所述的半導體器件形成方法，其特征在于，形成所述接觸結構的方法包括：

在各所述柵極結構側的所述層間介質層中形成接觸孔；

在所述接觸孔中填充導電層，以形成所述接觸結構；其中，所述導電層的材質包括鎢。

3.如權利要求2所述的半導體器件形成方法，其特征在于，所述有源區的寬度與所述接觸孔的寬度相等，且所述接觸孔的側壁到所述柵極結構的距離大于所述側墻層和所述阻擋層的厚度之和。

4.如權利要求3所述的半導體器件形成方法，其特征在于，所述接觸孔的側壁到所述柵極結構的距離為0.13μm～0.18μm。

5.如權利要求2所述的半導體器件形成方法，其特征在于，所述有源區的寬度大于所述接觸孔的寬度。

6.如權利要求5所述的半導體器件形成方法，其特征在于，所述有源區的寬度為0.2μm～0.3μm。

7.如權利要求1所述的半導體器件形成方法，其特征在于，所述接觸結構位于所述有源區的所述半導體襯底上，且所述接觸結構在厚度方向上貫通所述層間介質層和所述阻擋層。

8.如權利要求1所述的半導體器件形成方法，其特征在于，所述側墻層包括依次層疊的第一氧化硅層、氮化硅層和第二氧化硅層，所述第一氧化硅層覆蓋所述柵極結構的側壁。

9.如權利要求1所述的半導體器件形成方法，其特征在于，所述阻擋層的材質為氮化硅或者氧化硅；所述層間介質層的材質為氧化硅。

10.一種半導體器件版圖結構，其特征在于，包括有源區版圖層、位于所述有源區版圖層上的柵極版圖層以及位于所述柵極版圖層上的接觸孔版圖層；

所述有源區版圖層包括多個有源區圖形區；

所述柵極版圖層包括多個柵極圖形區，所述有源區圖形區的部分位于相鄰的兩個所述柵極圖形區之間；每個所述柵極圖形區包括一彎曲部以及位于所述彎曲部兩端并與所述彎曲部相連的呈直條狀的延伸部，相鄰的兩個所述柵極圖形區的彎曲部的凸向相反；

所述接觸孔版圖層包括多個接觸孔圖形區，多個所述接觸孔圖形區分別位于各所述有源區圖形區上，且所述接觸孔圖形區與所述柵極圖形區存在間隔。

11.如權利要求10所述的半導體器件版圖結構，其特征在于，所述有源區圖形區的至少一部分位于相鄰的兩個所述柵極圖形區的所述彎曲部之間，所述有源區圖形區與所述接觸孔圖形區的寬度相等，所述接觸孔圖形區到所述彎曲部的直線距離為0.13μm～0.18μm。

12.如權利要求10所述的半導體器件版圖結構，其特征在于，每個所述柵極圖形區呈直條狀，所述有源區圖形區的寬度大于所述接觸孔圖形的寬度，所述有源區圖形區的寬度為0.2μm～0.3μm。