[發明專利]高頻傳輸復合式銅箔基板及制備方法

在審

• 申請號: 202010693042.3
• 申請日: 2020-07-17
• 公開（公告）號: CN111805998A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 徐瑋鴻;章玉敏;周文賢
• 申請（專利權）人: 松揚電子材料（昆山）有限公司
• 主分類號: B32B15/20
• 分類號: B32B15/20;B32B15/08;B32B27/28;B32B27/06;B32B33/00;H05K1/03;C09D179/08;C09D7/65;B32B37/10;B32B37/24;B32B38/16
• 代理公司: 昆山中際國創知識產權代理有限公司 32311
• 代理人: 盛建德;孫海燕

1.一種高頻傳輸復合式銅箔基板，其特征在于：包括至少一單層板以及一高頻聚酰亞胺層(104)，所述單層板包括依次設置的銅箔層(101)、非氟改性聚酰亞胺層(102)和高頻絕緣混合物層(103)，所述高頻聚酰亞胺層(104)粘接于高頻絕緣混合物層(103)；

所述非氟改性聚酰亞胺層中的非氟改性聚酰亞胺由非氟高分子化合物對熱固性聚酰亞胺改性而成，所述高頻絕緣混合物層中的高頻絕緣混合物由熱塑性聚酰亞胺與高頻樹脂混合而成；

所述高頻聚酰亞胺層的Dk值＜3.3、Df值＜0.004，所述高頻聚酰亞胺的厚度為12μm～75μm，所述非氟改性聚酰亞胺層(102)、高頻絕緣混合物層(103)和高頻聚酰亞胺層(104)的總厚度為100μm～150μm。

2.根據權利要求1所述的高頻傳輸復合式銅箔基板，其特征在于：所述銅箔層(101)為高延展銅箔層或電解銅箔層，其厚度為9μm～18μm，且該銅箔層與所述非氟改性聚酰亞胺層的接觸面的Rz值為0.7μm-0.9μm。

3.根據權利要求1所述的高頻傳輸復合式銅箔基板，其特征在于：所述非氟改性聚酰亞胺層的厚度為12.5μm～50μm，所述非氟改性聚酰亞胺層的Dk值＜3.3、Df值＜0.003。

4.根據權利要求1所述的高頻傳輸復合式銅箔基板，其特征在于：所述高頻絕緣混合物層的厚度為6μm～25μm，所述高頻絕緣混合物層的Dk值＜2.8、Df值＜0.004，所述高頻樹脂為低粘度多醇胺型液體環氧樹脂。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的高頻傳輸復合式銅箔基板，其特征在于：所述銅箔基板為單面銅箔基板，該單面銅箔基板由一單層板和一高頻聚酰亞胺層組成，且從上至下依次為：銅箔層(101)、非氟改性聚酰亞胺層(102)、高頻絕緣混合物層(103)和高頻聚酰亞胺層(104)。

6.根據權利要求1-4中任一項所述的高頻傳輸復合式銅箔基板，其特征在于：所述銅箔基板為雙面銅箔基板，該雙面銅箔基板由兩個單層板和一高頻聚酰亞胺層組成，且從上至下依次為：銅箔層(101)、非氟改性聚酰亞胺層(102)、高頻絕緣混合物層(103)、高頻聚酰亞胺層(104)、高頻絕緣混合物層(103)、非氟改性聚酰亞胺層(102)和銅箔層(101)。

7.一種根據權利要求1-6任一項所述的高頻傳輸復合式銅箔基板的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：

步驟一：提供一帶有非氟改性聚酰亞胺層的銅箔層，在非氟改性聚酰亞胺層上涂布高頻絕緣混合物；

步驟二：烘干后形成6μm～25μm的高頻絕緣混合物層，再在高頻絕緣混合物層涂布高頻聚酰亞胺層，得到單面銅箔基板。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于：還包括如下步驟：

步驟三：在單面銅箔基板的高頻聚酰亞胺層上涂覆高頻絕緣混合物，烘干后形成6μm～25μm的高頻絕緣混合物層；

步驟四：再將另一帶有非氟改性聚酰亞胺層的銅箔層壓合于高頻絕緣混合物層，通過滾輪之間的間隙以及滾輪給予的壓力，形成緊密黏合的雙面銅箔基板；

步驟五：最后，烘烤該雙面銅箔基板，得到成品雙面銅箔基板。

9.根據權利要求7或8所述的制備方法，其特征在于：所述帶有非氟改性聚酰亞胺層的銅箔層為購自臺灣新揚科技股份有限公司的產品。

10.根據權利要求7或8所述的制備方法，其特征在于：所述高頻絕緣混合物層中高頻絕緣混合物為熱塑性聚酰亞胺與高頻樹脂混合而成，所述高頻絕緣混合物中組分的重量份數為：熱塑性聚酰亞胺92-98份和高頻樹脂2-8份，其中所述高頻樹脂為低粘度多醇胺型液體環氧樹脂。