[發明專利]一種抗輻照粒子探測器有效
| 申請號: | 202010692997.7 | 申請日: | 2020-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN111769129B | 公開(公告)日: | 2021-04-13 |
| 發明(設計)人: | 張亮;王萌;董家寧;王安慶;李龍 | 申請(專利權)人: | 山東大學 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 濟南圣達知識產權代理有限公司 37221 | 代理人: | 趙敏玲 |
| 地址: | 266237 *** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 輻照 粒子 探測器 | ||
1.一種抗輻照粒子探測器,其特征在于,其包括P型襯底、N阱、 P阱、深N阱和深P隔離層;其具備四阱工藝,分別是N阱、 P阱、深N阱和深P隔離層;
其中,像素單元和讀出電路均位于P型襯底;
深N阱和P型襯底形成P-N二極管;
深N阱上的N阱和N型有源區構成通路,通過導線連接其他讀出電路;
所述P-N二極管所在區連接有偏置電壓;襯底加反向高壓,并且電壓絕對值大于60V,深N阱與P型襯底產生耗盡區,當帶電粒子穿過探測芯片,耗盡區內的電子以漂移方式被快速收集;
深P隔離層用來隔離深N阱內的器件,深P隔離層內的N阱和P型有源區用于制作PMOS晶體管,深P隔離層內的P阱和N型有源區用于制作NMOS管,在像素內實現CMOS電路,對像素信號進行放大和降噪處理。
2.如權利要求1所述的抗輻照粒子探測器,其特征在于,所述像素單元包括多個,多個像素單元構成一個像素陣列,每個像素單元包括依次連接的放大器、整形器、甄別器以及優先編碼邏輯;
所述的放大器對微弱信號進行放大;所述的整形器用于濾除低頻和高頻噪聲;所述甄別器將模擬信號轉換成0或1數字信息,當有粒子穿過探測器芯片時,甄別器輸出1,此時觸發優先編碼邏輯,將擊中信息送至數據處理模塊。
3.如權利要求2所述的抗輻照粒子探測器,其特征在于,所述的優先編碼邏輯與數據處理模塊用來處理事例信息,包含位置信息以及時間信息;其輸出數據率與事例數直接相關,而事例數根據泊松分布計算出最大累積值,從而優化數字邏輯。
4.如權利要求1所述的抗輻照粒子探測器,其特征在于,還配置像素配置電路、時序邏輯、偏置電路、時鐘電路和控制接口;所述的像素配置電路、時序邏輯、偏置電路、時鐘電路均與像素陣列相連。
5.如權利要求4所述的抗輻照粒子探測器,其特征在于,所述的控制接口用來調節偏置參數以及使能信號,使芯片工作在最佳狀態。
6.如權利要求4所述的抗輻照粒子探測器,其特征在于,所述的像素配置電路用于像素內部電路性能標定。
7.如權利要求4所述的抗輻照粒子探測器,其特征在于,所述時序邏輯用于像素內部邏輯電路。
8.如權利要求4所述的抗輻照粒子探測器,其特征在于,所述偏置電路向像素單元電路提供靜態工作點。
9.如權利要求4所述的抗輻照粒子探測器,其特征在于,所述時鐘電路向數據處理模塊提供高速時鐘。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





