[發明專利]一種多重圖形化的方法

在審

• 申請號: 202010692245.0
• 申請日: 2020-07-17
• 公開（公告）號: CN112017950A
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 姜東勛;周娜;李俊杰;王佳;李琳
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 佟林松

本申請涉及半導體結構的制造方法多重圖形化方法，本申請中在多重圖形化方法的側墻結構制程工藝中，在進行刻蝕側墻層后形成了一層保護層以對下面的掩模層進行保護，從而避免后續的刻蝕工序對掩模層產生不期望的損失而導致的尺寸偏移現象。

技術領域

本申請涉及半導體器件的制造方法，特別是一種多重圖形化的方法。

背景技術

在半導體制造工藝中，光刻(photolithography)是常用的一種圖形化方法。然而光刻工藝會限制所形成的圖形的最小節距(pitch)，因而也限制了集成電路向更小尺寸、更高密度方向的發展。

多重圖形化技術，包括雙重圖形化(Double Patterning Technology，DPT)、四重圖形化(Quadrable Patterning Technology)等，都是一種能夠使光刻工藝克服光刻分辨率極限的方法。例如，雙重圖形化主要包含兩種傳統的方法：微影-刻蝕-微影-刻蝕(Litho-Etch-Litho-Etch，LELE)和自對準雙重圖形化(Self-aligned Double Patterning,SADP)。

然而，現有技術形成的雙重圖形容易發生變形，特別是側墻兩側的形狀深度不同，影響后續刻蝕目標層形成的刻蝕圖形的準確性。

發明內容

本申請的目的是通過以下技術方案實現的：

根據一個或多個實施例，本申請公開了一種半導體結構的制造方法，包括：

提供半導體襯底，半導體襯底上有第一硬掩模層；

形成芯軸圖案以及上方的第二硬掩模層；

形成芯軸兩側的側墻；

在相鄰兩個芯軸的側墻之間填充保護層；

將所述第二硬掩模層去除。

本申請的其他特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者，部分特征和優點可以從說明書中推知或毫無疑義地確定，或者通過實施本申請實施例了解。本申請的目的和其他優點可通過在所寫的說明書、權利要求書、以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。

附圖說明

通過閱讀下文優選實施方式的詳細描述，各種其他的優點和益處對于本領域普通技術人員將變得清楚明了。附圖僅用于示出優選實施方式的目的，而并不認為是對本申請的限制。而且在整個附圖中，用相同的參考符號表示相同的部件。在附圖中：

圖1a-圖1g是本申請實施方式的雙重圖形化的制造方法中形成側墻結構的示意圖。

具體實施方式

下文將參照附圖更完全地描述本申請，在附圖中顯示本申請的實施例。然而，本申請不局限于在這里闡述的實施例。相反地，提供這些實施例以便徹底地并完全地說明，并完全地將本申請的范圍傳達給本領域的技術人員。在附圖中，為了清楚起見可能夸大了層和區域的厚度。全文中相同的數字標識相同的元件。如這里所使用的，術語“和/或”包括相關所列項目的一個或多個的任何和所有組合。

這里所使用的術語僅僅是為了詳細的描述實施例而不是想要限制本申請。如這里所使用的，除非本文清楚地指出外，否則單數形式“一”、“該”和“所述”等也包括復數形式。還應當理解的是說明書中使用的術語“包括”說明所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一個或多個其他的特征、整體、步驟、操作、元件、部件、和/或其組合的存在或者增加。