[發明專利]一種多重圖形化的方法

在審

• 申請號: 202010692245.0
• 申請日: 2020-07-17
• 公開（公告）號: CN112017950A
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 姜東勛;周娜;李俊杰;王佳;李琳
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 佟林松

1.一種半導體結構的制造方法，包括：

提供半導體襯底，半導體襯底上有第一硬掩模層；

形成芯軸圖案以及上方的第二硬掩模層；

形成芯軸兩側的側墻；

在相鄰兩個芯軸的側墻之間填充保護層；

將所述第二硬掩模層去除。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于：

還包括，去除所述芯軸。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于：

還包括，去除所述保護層。

4.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于：

所述去除保護層，是在去除所述芯軸時被一同去除的。

5.根據權利要求1-4任意一項所述的制造方法，其特征在于：

所述形成芯軸圖案以及上方的第二硬掩模層，具體是，

在所述第一硬掩模層上提供犧牲層；

在所述犧牲層表面提供第二硬掩模層；

圖形化所述第二硬掩模層以暴露出所述犧牲層；

刻蝕所述犧牲層以形成芯軸圖案以及上方的第二硬掩模層。

6.根據權利要求1-4任意一項所述的制造方法，其特征在于：

所述形成芯軸兩側的側墻，具體是，

在所述芯軸側壁表面、以及上方的第二硬掩模層表面形成側墻層；

刻蝕側墻層以形成芯軸兩側的側墻，并暴露出所述第一硬掩模層和所述第二硬掩模層的表面。

7.根據權利要求1-4任意一項所述的制造方法，其特征在于：

所述在相鄰兩個芯軸的側墻之間填充保護層，具體是，

在所述第一硬掩模層的表面形成保護層。

8.根據權利要求1-4任意一項所述的制造方法，其特征在于：

所述保護層采用與所述第二硬掩模層的刻蝕選擇比高的材料。

9.根據權利要求1-4任意一項所述的制造方法，其特征在于：

所述保護層采用與所述芯軸相同或刻蝕選擇比低的材料。

10.根據權利要求1-4任意一項所述的制造方法，其特征在于：

將所述第二硬掩模層去除，是采用干法刻蝕或濕法刻蝕。

11.根據權利要求1-4任意一項所述的制造方法，其特征在于：

所述第一硬掩模層和第二硬掩模層的材料相同，進一步的，所述材料包含氮氧化硅。

12.根據權利要求1-4任意一項所述的制造方法，其特征在于：

所述芯軸包含旋涂碳材料。

13.根據權利要求1-4任意一項所述的制造方法，其特征在于：

所述保護層包含光刻膠和/或旋涂碳材料。