[發(fā)明專利]一種原位氮摻雜金屬氧化物超級電容器電極及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010691935.4 | 申請日: | 2020-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN111968865A | 公開(公告)日: | 2020-11-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 田媛;宮聯(lián)國;王桂花;趙曉丹;楊毅彪;費宏明 | 申請(專利權(quán))人: | 太原理工大學 |
| 主分類號: | H01G11/86 | 分類號: | H01G11/86;C23C14/00;C23C14/08;C23C14/35;H01G11/30;H01G11/46 |
| 代理公司: | 太原晉科知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人: | 趙江艷 |
| 地址: | 030024 *** | 國省代碼: | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 原位 摻雜 金屬 氧化物 超級 電容器 電極 及其 制備 方法 | ||
1.一種原位氮摻雜金屬氧化物超級電容器電極的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、對襯底表面清洗,然后將清洗備用的襯底固定于鍍膜腔室內(nèi)基片臺上,關(guān)閉鍍膜腔室;
S2、將鍍膜腔室抽至本底真空度1×10-5Pa~1×10-3Pa;
S3、將氮氣和氬氣接入混氣室混氣;
S4、濺射鍍膜:以金屬氧化物為靶材,以氮氣和氬氣的混合氣體為濺射氣氛,采用射頻鍍膜工藝在基片臺的襯底上鍍膜;
S5、取出鍍膜襯底:射頻鍍膜完畢后,待襯底溫度降溫至100℃以下時,取出鍍膜襯底,得到原位氮摻雜金屬氧化物超級電容器電極成品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種原位氮摻雜金屬氧化物超級電容器電極的制備方法,其特征在于,所述步驟S1中襯底為ITO玻璃、ITO柔性襯底或二氧化硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種原位氮摻雜金屬氧化物超級電容器電極的制備方法,其特征在于,所述步驟S1中對襯底表面的清洗包括:
S101、將襯底表面使用肥皂水清洗;
S102、將肥皂水清洗后的襯底用去離子水初次超聲清洗;
S103、將初次超聲清洗后的襯底再用分析純乙醇第二次超聲波清洗;
S104、將清洗后的襯底用高純干燥氮氣吹干備用。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種原位氮摻雜金屬氧化物超級電容器電極的制備方法,其特征在于,所述步驟S102和步驟S103中的兩次超聲清洗時間均不少于20min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種原位氮摻雜金屬氧化物超級電容器電極的制備方法,其特征在于,所述步驟S4中射頻濺射鍍膜工藝參數(shù)為:本底真空:1×10-5Pa~1×10-3Pa,濺射氣壓:0.5~1.2Pa,濺射功率:40—180W,濺射溫度:100~500℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種原位氮摻雜金屬氧化物超級電容器電極的制備方法,其特征在于,所述步驟S3中氮氣和氬氣的純度均不低于99.999%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種原位氮摻雜金屬氧化物超級電容器電極的制備方法,其特征在于,所述原位氮摻雜金屬氧化物超級電容器電極的厚度為60~800nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種原位氮摻雜金屬氧化物超級電容器電極的制備方法,其特征在于,所述步驟S4中,金屬氧化物為NiO、MnO2、Ti02、CO3O4中的一種。
9.一種原位氮摻雜金屬氧化物超級電容器電極,其特征在于,采用權(quán)利要求1~8任一項所述的方法制備得到。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種原位氮摻雜金屬氧化物超級電容器電極的測試方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)將原位氮摻雜金屬氧化物薄膜作為工作電極,鉑片作為對電極,飽和甘汞電極作為參比電極,6 M KOH作為電解液,組裝成三電極測試系統(tǒng);
(2)對組裝好的測試系統(tǒng)進行電化學性能測試,通過循環(huán)伏安、恒流充放電和循環(huán)穩(wěn)定測試檢驗原位氮摻雜金屬氧化物的電化學性能。
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