[發明專利]局部表面涂層缺陷修補工藝

在審

• 申請號: 202010691864.8
• 申請日: 2020-07-17
• 公開（公告）號: CN112239861A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發明（設計）人: J·麥洛阿;G·薩姆索尼茲;M·科恩布魯斯;S·金;B·科津斯基;J·克里斯滕森
• 申請（專利權）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 楊婧妍;王瑋

1. 一種生產涂層的方法，所述方法包括：

確定基體上的涂層的表面缺陷區域和表面缺陷的位置；以及

通過使用SALD反應器經由空間原子層沉積（SALD）基于所述表面缺陷的所述位置向所述表面缺陷區域施加校正涂層區域來選擇性地且局部地校正所述表面缺陷。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述確定和校正步驟彼此內聯地執行。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述校正涂層區域覆蓋所述表面缺陷區域和鄰近所述表面缺陷區域的過渡噴涂區域。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，校正步驟包括使得所述SALD反應器相對于所述基體和所述涂層平移，使得所述SALD反應器位于所述缺陷區域上方。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述校正步驟還包括當所述SALD反應器位于所述缺陷區域上方時啟用所述SALD反應器。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，確定步驟使用涂層厚度測量系統來執行。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述涂層厚度測量系統實施紅外熱成像、可見光光學檢查、X射線熒光或者X射線衍射。

8. 一種生產涂層的方法，所述方法包括：

確定在縱向方向上運動的基體上的涂層的表面缺陷區域和所述表面缺陷的位置；以及

通過在所述運動基體正在所述縱向方向上運動的同時使用SALD反應器經由空間原子層沉積（SALD）基于所述表面缺陷的所述位置向所述表面缺陷區域施加校正涂層區域來選擇性地且局部地校正所述表面缺陷。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述校正涂層區域覆蓋所述表面缺陷區域和鄰近所述表面缺陷區域的過渡噴涂區域。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，選擇性地且局部地校正步驟在負載鎖定腔室中執行。

11.根據權利要求8所述的方法，其中，確定和校正步驟彼此內聯地執行。

12.根據權利要求8所述的方法，其中，所述校正步驟包括使得所述SALD反應器相對于所述基體和所述涂層平移，使得所述SALD反應器位于所述缺陷區域上方。

13.根據權利要求8所述的方法，其中，所述校正步驟還包括當所述SALD反應器位于所述缺陷區域上方時啟用所述SALD反應器。

14.根據權利要求8所述的方法，其中，確定步驟使用紅外熱成像、可見光光學檢查、X射線熒光或者X射線衍射來執行。

15. 一種在基體上生產涂層的方法，所述方法包括：

確定在縱向方向上運動的基體上的第一材料的涂層的表面缺陷區域和該表面缺陷的位置；以及

通過在所述運動基體正在所述縱向方向上運動的同時經由具有SALD反應器的空間原子層沉積（SALD）基于所述表面缺陷的所述位置向所述表面缺陷區域施加第二材料的校正涂層來選擇性地且局部地校正所述表面缺陷。

16.根據權利要求15所述的方法，其中，所述第二材料是TiO₂、Al₂O₃、HfO₂、SiO₂、ZnO、In₂O₃或其組合。

17.根據權利要求15所述的方法，其中，確定步驟使用紅外熱成像、可見光光學檢查、X射線熒光或者X射線衍射來執行。