[發明專利]半導體存儲器裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202010690540.2
• 申請日: 2020-07-17
• 公開（公告）號: CN113130499A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 吳星來
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/11519
• 分類號: H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11531;H01L27/11556;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置包括：

堆疊結構，所述堆疊結構在聯接區域中包括在第一基板上方與多個第二介電層交替堆疊的多個第一介電層，并且在所述聯接區域外部包括在所述第一基板上方與所述多個第一介電層交替堆疊的多個電極層；以及

多個通孔，所述多個通孔在垂直于所述第一基板的頂表面的第一方向上穿過所述堆疊結構，并且設置在所述聯接區域的邊緣處以限定蝕刻阻擋部，

所述多個通孔中的每一個包括：

柱部分，所述柱部分在所述第一方向上延伸；以及

多個延伸部分，所述多個延伸部分從所述柱部分的外周徑向延伸并且平行于所述第一基板的所述頂表面，所述多個延伸部分分別與所述多個第二介電層位于相同的層中。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，相鄰的所述通孔的所述柱部分以第一間隔彼此間隔開，并且所述相鄰的所述通孔的所述延伸部分彼此接觸。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，相鄰的所述通孔的所述柱部分以第一間隔彼此間隔開，并且所述相鄰的所述通孔的所述延伸部分以小于所述第一間隔的第二間隔彼此間隔開。

4.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述通孔設置在所述聯接區域的所有邊緣處。

5.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置還包括：

多個狹縫，所述多個狹縫在第二方向上延伸并且在第三方向上間隔開以劃分所述堆疊結構，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向彼此垂直，

其中，在兩個相鄰的所述狹縫之間，所述多個通孔設置在所述聯接區域的沿所述第二方向延伸并且沿所述第三方向間隔開的邊緣處，并且

其中，所述通孔不設置在所述聯接區域的沿所述第三方向延伸并且沿所述第二方向間隔開的邊緣處。

6.根據權利要求5所述的半導體存儲器裝置，其中，在所述兩個相鄰的所述狹縫之間，所述多個通孔被設置為在所述第二方向上延伸的一對通孔行。

7.根據權利要求6所述的半導體存儲器裝置，其中，所述聯接區域的沒有所述通孔的邊緣被設置為在所述第二方向上朝向所述聯接區域的中央遠離所述通孔行的端部。

8.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述蝕刻阻擋部包括相對于所述第二介電層具有蝕刻選擇性的材料。

9.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述多個通孔的所述柱部分和所述延伸部分由相同的材料制成。

10.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述柱部分包括單一材料。

11.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置還包括：

接觸插塞，所述接觸插塞在所述聯接區域中在所述第一方向上穿過所述堆疊結構。

12.根據權利要求11所述的半導體存儲器裝置，其中，所述多個通孔和所述接觸插塞包括相同的材料。

13.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述柱部分包括：

第一層，所述第一層由第一材料形成并且具有中央區域開放的圓柱形殼體的形狀；以及

第二層，所述第二層設置在所述第一層的開放的所述中央區域中，并且由與所述第一材料不同的第二材料形成。

14.根據權利要求13所述的半導體存儲器裝置，其中，所述第一層包括介電材料，并且所述第二層包括導電材料。

15.根據權利要求13所述的半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置還包括：

接觸插塞，所述接觸插塞由所述第二材料形成，并且在所述聯接區域中在所述第一方向上穿過所述堆疊結構。