[發明專利]一種半導體封裝結構及半導體封裝結構的制造方法

在審

• 申請號: 202010686205.5
• 申請日: 2020-07-16
• 公開（公告）號: CN111933595A
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: 王琇如
• 申請（專利權）人: 杰群電子科技（東莞）有限公司
• 主分類號: H01L23/473
• 分類號: H01L23/473;H01L23/373;H01L21/48
• 代理公司: 北京澤方譽航專利代理事務所(普通合伙) 11884
• 代理人: 唐明磊

本發明公開一種半導體封裝結構及半導體封裝結構的制造方法，該半導體封裝結構包括：芯片載體；芯片，其固定于芯片載體；封裝膠體，其包覆芯片和芯片載體；若干上散熱通道，其橫向地設置于半導體封裝結構內，且上散熱通道位于芯片的上方；若干下散熱通道，其橫向地設置于芯片載體內；豎向散熱通道，其豎向地設置于半導體封裝結構內；上開口，上散熱通道通過上開口與外部連通；下開口，下散熱通道通過下開口與外部連通；該制造方法包括芯片載體提供步驟、芯片結合步驟、金屬側框結合步驟、豎向金屬管安裝步驟和注塑步驟；該半導體封裝結構具有良好的散熱性能，該制造方法能夠生產出具有良好散熱性能的半導體封裝結構。

技術領域

本發明涉及半導體封裝技術領域，尤其涉及一種半導體封裝結構及半導體封裝結構的制造方法。

背景技術

半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等領域都有應用；半導體封裝結構，是將芯片(或晶片)固定到相應的芯片載體上，在芯片與芯片載體完成必要的電性連接后，為了避免內部電路受到環境中的液、塵、氣體的污染，在芯片以及芯片載體上包覆一層保護用的封裝膠體以形成半導體封裝結構；但是，對于大功率半導體封裝結構而言，內部的功率器件在工作時容易產生熱量，若熱量無法及時有效地傳遞至半導體封裝結構之外，積存的熱量會大大影響芯片工作的性能，從而影響半導體封裝結構的可靠性。

現有技術中，一般通過封裝膠體將芯片產生的熱量傳導至外部大氣，但是，封裝膠體的導熱性不佳，導致現有的半導體封裝結構的散熱性能不佳。市面上還有一些半導體封裝結構，通過在半導體封裝結構上加裝金屬散熱器(如齒形散熱器)來實現半導體封裝結構的散熱，但是，由于散熱器與芯片之間的熱交換效率、散熱器與大氣之間的熱交換效率都相對有限，導致現有的半導體封裝結構的散熱性能有限。

發明內容

本發明實施例的一個目的在于：提供一種半導體封裝結構，其具有良好的散熱性能，可靠性高。

本發明實施例的另一個目的在于：提供一種半導體封裝結構的制造方法，其可以制造出具有良好散熱性能的半導體封裝結構。

為達上述目的，本發明采用以下技術方案：

一種半導體封裝結構，包括：

芯片載體；

芯片，其固定于所述芯片載體的頂部；

封裝膠體，其包覆所述芯片和所述芯片載體；

若干上散熱通道，其橫向地設置于所述半導體封裝結構內，且所述上散熱通道位于所述芯片的上方；

若干下散熱通道，其橫向地設置于所述芯片載體內；

豎向散熱通道，其豎向地設置于所述半導體封裝結構內，所述豎向散熱通道的至少一部分位于所述封裝膠體內，所述豎向散熱通道兩端的開口與外部連通；

上開口，其設于所述半導體封裝結構的側壁，所述上散熱通道通過所述上開口與外部連通；

下開口，其設于所述半導體封裝結構的側壁，所述下散熱通道通過所述下開口與外部連通。

作為優選，還包括金屬框，所述金屬框固定于所述封裝膠體的頂部，若干所述上散熱通道設于所述金屬框內。

作為優選，所述豎向散熱通道的數量至少為兩個。

作為優選，所述芯片位于若干所述豎向散熱通道之間。

作為優選，在所述半導體封裝結構的高度方向上，所述芯片的正下方設有所述下散熱通道，所述芯片的正上方設有所述上散熱通道。

作為優選，所述上散熱通道和/或所述下散熱通道和/或所述豎向散熱通道的通道壁面上設有散熱層，所述散熱層為石墨烯散熱層或碳化物散熱層。